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レジスト・微細加工用材料への
要求特性と最新技術動向

ダブルパターニング/マルチパターニング、EUVリソグラフィ、
自己組織化(DSA)、ナノインプリントリソグラフィ、etc.
~半導体の微細化を支えるリソグラフィと材料~

受講可能な形式:【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ

現在の3nmロジックノードに対応する要求特性・課題・対策とは?
溶解阻害型や化学増幅型などレジストの基礎からメタルレジスト含むEUVレジストまで
各種微細加工・リソグラフィ技術やレジスト材料の基礎から、最新動向・展望までを幅広く解説します。
このセミナーの受付は終了致しました。
日時 2024年10月18日(金)  10:30~16:30
受講料(税込)
各種割引特典
55,000円 ( E-Mail案内登録価格 52,250円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価:本体50,000円+税5,000円
E-Mail案内登録価格:本体47,500円+税4,750円
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で55,000円 (2名ともE-Mail案内登録必須​/1名あたり定価半額の27,500円)
テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】

1名申込みの場合:受講料 41,800円(E-Mail案内登録価格 39,820円 )
 定価:本体38,000円+税3,800円
 E-Mail案内登録価格:本体36,200円+税3,620円
※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
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※他の割引は併用できません。
 
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク

3名以上のお申込みで1名あたり:受講料 24,200円
 本体22,000円+税2,200円(1名あたり)
※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。
※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。
 
■■■受講人数ごとのお申込み例■■■
1名で受講の場合:39,820円(税込) ※テレワーク応援キャンペーン/E-mail案内登録の場合
2名で受講の場合:55,000円(税込) ※2名同時申込みで1名分無料:1名あたり1名あたり27,500円(税込)
3名で受講の場合:72,600円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり24,200円(税込)
4名で受講の場合:96,800円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり24,200円(税込)
5名で受講の場合:121,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり24,200円(税込)
配布資料製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定)
※開催まで4営業日~前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が、
開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
Zoom上ではスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
オンライン配信ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください)

セミナー視聴はマイページから
お申し込み後、マイページの「セミナー資料ダウンロード/映像視聴ページ」に
お申込み済みのセミナー一覧が表示されますので、該当セミナーをクリックしてください。
開催日の【2日前】より視聴用リンクが表示されます。

アーカイブ(見逃し)配信付き
視聴期間:開催終了翌営業日から5日間[10/21~10/25]を予定
※アーカイブは原則として編集は行いません
※視聴準備が整い次第、担当から視聴開始のメールご連絡をいたします。
(開催終了後にマイページでご案内するZoomの録画視聴用リンクからご視聴いただきます)
備考※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。
得られる知識
リソグラフィの基礎知識、レジスト・微細加工用材料の基礎知識、レジスト・微細加工用材料の要求特性、レジスト・微細加工用材料の課題と対策、レジスト・微細加工用材料の最新技術・ビジネス動向が得られます。
 
受講対象
・本テーマに興味のある企業の研究者、技術者、製造、販売担当、新規事業開発担当、企画担当、特許担当、市場アナリストの方
・これらの職種を希望される学生の方
・基本から解説しますので予備知識は不要です。

セミナー講師

大阪大学 産業科学研究所 招聘教授 遠藤 政孝 氏 【元・パナソニック(株)】
1983年松下電器産業株式会社入社。以来同社半導体研究センター、パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センターにて、半導体リソグラフィ、レジスト材料、微細加工用材料の開発に従事。
2009年から大阪大学産業科学研究所にて、レジスト材料、EUVレジストの研究開発に従事。

セミナー趣旨

 メモリー、マイクロプロセッサ等の半導体の高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い益々大きくなっています。
 本講演では、リソグラフィの基礎、最新のロードマップを述べた後、デバイスの微細化を支えるレジスト・微細加工用材料の基礎、EUVレジストを中心に現在の3nmロジックノードに対応するレジスト・微細加工用材料の要求特性、課題と対策、最新技術・動向を解説し、今後の展望、市場動向についてまとめます。

セミナー講演内容

1.リソグラフィの基礎
 1.1 露光
  1.1.1 コンタクト露光
  1.1.2 ステップ&リピート露光
  1.1.3 スキャン露光
 1.2 照明方法
  1.2.1 斜入射(輪帯)照明
 1.3 マスク
  1.3.1 位相シフトマスク
  1.3.2 光近接効果補正(OPC)
  1.3.3 マスクエラーファクター(MEF)
 1.4 レジストプロセス
  1.4.1 反射防止プロセス
   1.4.1.1 上層反射防止膜(TARC)
   1.4.1.2 下層反射防止膜(BARC)
  1.4.2 ハードマスクプロセス
  1.4.3 化学機械研磨(CMP)技術
 
2.ロードマップとリソグラフィ技術
 2.1 IRDS
  2.1.1 リソグラフィへの要求特性
  2.1.2 レジスト・微細加工用材料への要求特性
 2.2 微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢
 2.3 最先端デバイスの動向
 
3.レジストの基礎
 3.1 溶解阻害型レジスト
  3.1.1 g線レジスト
  3.1.2 i線レジスト
 3.2 化学増幅型レジスト
  3.2.1 KrFレジスト
  3.2.2 ArFレジスト
  3.2.3 化学増幅型レジストの安定化技術
 3.3 ArF液浸レジスト/トップコート
  3.3.1 ArF液浸リソグラフィの特徴
  3.3.2 ArF液浸レジスト/トップコートの要求特性
  3.3.3 ArF液浸レジスト/トップコートの設計指針
 
4.レジスト・微細加工用材料の最新技術
 4.1 ダブルパターニング、マルチパターニング
  4.1.1 リソーエッチ(LE)プロセス
  4.1.2 セルフアラインド(SA)プロセス
 4.2 EUVリソグラフィ
  4.2.1 EUVリソグラフィの特徴
   4.2.1.1 露光装置
   4.2.1.2 光源
   4.2.1.3 マスク
   4.2.1.4 プロセス
  4.2.2 EUVレジストの特徴
  4.2.3 EUVレジストの要求特性
  4.2.4 EUVレジストの設計指針
   4.2.4.1 EUVレジスト用ポリマー
   4.4.4.2 EUVレジスト用酸発生剤
  4.2.5 EUVレジストの課題と対策
   4.2.5.1 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
   4.2.5.2 ランダム欠陥(Stochastic Effects)
  4.2.6 EUVレジストの動向
   4.2.6.1 ネガレジストプロセス
   4.2.6.2 ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
  4.2.7 EUVメタルレジスト
   4.2.7.1 EUVメタルレジストの特徴
   4.2.7.2 EUVメタルレジストの性能
   4.2.7.3 EUVメタル増感剤
   4.2.7.4 EUVメタルドライレジストプロセス
 4.3 自己組織化(DSA)リソグラフィ
  4.3.1 グラフォエピタキシー
  4.3.2 ケミカルエピタキシー
  4.3.3 高χ(カイ)ブロックコポリマー
 4.4 ナノインプリントリソグラフィ
  4.4.1 加圧方式
  4.4.2 光硬化方式
   4.4.2.1 光硬化材料
   4.4.2.2 離型剤
   4.4.2.3 露光装置

5.レジスト・微細加工用材料の技術展望、市場動向

  □質疑応答□
【キーワード】リソグラフィ、レジスト、微細加工用材料、EUVレジスト