A211020: 【Live配信（リアルタイム配信）】半導体配線材料・技術の最新動向 | 技術セミナーの開催・書籍出版　サイエンス＆テクノロジー＜Ｓ＆Ｔ＞

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セミナーセミナー番号:A211020(配線材料技術)

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【Live配信（リアルタイム配信）】
半導体配線材料・技術の最新動向

Cu配線延命の最先端、代替配線技術動向　BPR・BSPDN・電源配線技術
最先端ノードの実際、今後の展望・課題
今後数年必要とされる材料、新規技術とその実現可能性

【アーカイブ配信付き】

更なる微細化に向け、Cuデュアルダマシン配線は本当に限界なのか？
RuやCoなどへの置き換えは？　実際の最先端のノードの現状とは？
IBM Research 野上氏による先端配線技術セミナー！

このセミナーの受付は終了致しました。

日時	2021年10月20日（水） 13:00～16:30
会場	オンライン配信	会場地図
受講料(税込) 各種割引特典	44,000円 ( E-Mail案内登録価格 41,800円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について定価：本体40,000円＋税4,000円 E-Mail案内登録価格：本体38,000円＋税3,800円
受講料(税込) 各種割引特典	E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件 1名分無料適用条件 ※2名様ともE-Mail案内登録が必須です。　2名様以降の受講者は、申込み前にE-Mail案内登録をお済ませください。 ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。 ※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。 ※請求書（PDFデータ）は、代表者にE-mailで送信いたします。 ※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。) ※他の割引は併用できません。 2名で44,000円 (2名ともE-Mail案内登録必須／１名あたり定価半額の22,000円) 【テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】　 1名申込みの場合：35,200円 ( E-Mail案内登録価格 33,440円 ) 　　　定価：本体32,000円＋税3,200円　　　E-Mail案内登録価格：本体30,400円＋税3,040円　※１名様でLive配信/WEBセミナーを受講する場合、上記特別価格になります。　※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。　※他の割引は併用できません。
特典	アーカイブ(見逃し)配信付き：　視聴期間：終了翌営業日から7日間［10/21～10/27］を予定　※アーカイブは原則として編集は行いません　※視聴準備が整い次第、担当から視聴開始のメールご連絡をいたします。　(開催終了後にマイページでご案内するZoomの録画視聴用リンクからご視聴いただきます）
配布資料	・PDFテキスト(印刷可)のみ
オンライン配信	●ZoomによるLive配信　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください） ●セミナー視聴・資料ダウンロードはマイページからお申し込み後、マイページの「セミナー資料ダウンロード／映像視聴ページ」にお申込み済みのセミナー一覧が表示されますので、該当セミナーをクリックしてください。開催日の【営業日２日前】より視聴用リンクと配布用資料のダウンロードリンクが表示されます。
備考	※資料付 ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

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得られる知識
これからの数年間で必要とされる材料、新規技術について、各々の実現可能性の大小とともに把握できる。

受講対象
材料メーカー、装置メーカー、先端配線技術分野に新規参入される方々

セミナー講師

IBM Research / IBM Corp.
Principal Research Staff Member　博士 (工学)　野上毅　氏
【専門】LSI先端配線技術

　2006年からIBM Research, Albanyにて先端配線技術開発に従事。1994年から1997年、スタンフォード大学(客員研究員)でのCu配線技術の研究以来、Cu配線技術の研究開発に従事。(株)東芝、川崎製鉄(株)、AMD (Advanced Micro Devices) Inc.、ソニー(株)を経て現職。東京大学工学部、学士(1982), 修士(1984), 博士(1994)。

セミナー趣旨

　Cu配線が導入されてから20年以上が経過したが、近年、Cuデュアルダマシン配線は更なる微細化には限界が来ているとの見方から、研究機関を中心にRuやCoなどの代替金属材料に置き換える技術開発が進行中である。しかしながら、実際の最先端のノードにおいても、Cu配線は延命の為の工夫を加えることで、使い続けられているのが現状である。本セミナーでは、Cu配線延命の為、導入されてきた最近の技術、技術開発が進行中のCu配線延命技術、及び、代替配線技術の現状と課題について述べる。これらと同時に、線幅の太い電源ラインをシリコン基板の表側や裏側に埋設するブレークスルーの開発が進行中であるが、これらのメリットと技術課題についても解説する。　

セミナー講演内容

１．Cuデュアルダマシン技術の微細化に伴う問題点
　1.1 Cuデュアルダマシン技術とは
　1.2 微細化に伴う問題点
　1.3 微細化が限界だとする悲観論の持つ定量的な曖昧さ

２．最近量産に導入されているCu配線延命を可能にしている新技術
　2.1 改良型ALD (atomic layer deposition) バリアメタル技術
　2.2 トレンチとビアの形状(アスペクト比)の最適化
　2.3 RSB (Reverse Selective Barrier)によるビア抵抗の低減
　2.4 Low-k (低誘電率絶縁膜)のPID (plasma induced damage)耐性向上
　2.5 シングルダマシンCu配線の導入

３．Cu配線を更に延命させる為の開発中の技術
　3.1 レーザーアニールによるCu配線抵抗低減技術
　3.2 グラフェンキャップによるCu配線抵抗低減技術
　3.3 ハイブリッドCu配線技術による微細化促進
　3.4 酸素を含まない低誘電率絶縁膜技術
　3.5 Mnによるアシストされた超薄型バリアメタル
　3.6 揮発性材料を用いたエアーギャップ形成

４．シリコン基板に電源線を埋め込む技術
　4.1 BPR (buried power rail)
　4.2 BSPDN (backside power distribution network)

５．代替配線技術
　5.1 Coデュアルダマシン技術
　5.2 Subtractive RIE Ru, Mo, W配線
　5.3 金属間化合物配線

６．まとめ

　　□質疑応答□

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【Live配信（リアルタイム配信）】半導体配線材料・技術の最新動向

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