セミナー 印刷

ドライエッチング技術の基礎と
原子層エッチング(ALE)の最新技術動向

■最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術■
■半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション(DX)■

受講可能な形式:【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ
 

★ アーカイブ配信のみの受講もOKです。
★ 最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説します。
日時 【Live配信:アーカイブ付き】 2025年1月20日(月)  10:30~16:30
受講料(税込)
各種割引特典
55,000円 ( E-Mail案内登録価格 52,250円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価:本体50,000円+税5,000円
E-Mail案内登録価格:本体47,500円+税4,750円
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で55,000円 (2名ともE-Mail案内登録必須​/1名あたり定価半額の27,500円)
テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】
1名申込みの場合: 受講料 44,000円 (E-Mail案内登録価格 42,020円)
 定価:本体40,000円+税4,000円、E-Mail案内登録価格:本体38,200円+税3,820円
 ※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
 ※他の割引は併用できません。
特典■Live受講に加えて、アーカイブでも1週間視聴できます■
【アーカイブの視聴期間】2025年1月21日(火)~1月27日(月)まで
※このセミナーはアーカイブ付きです。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。
配布資料PDFテキスト(印刷可・編集不可)
※開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。
オンライン配信ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください)
アーカイブ(見逃し)配信について
※視聴期間は終了翌日から7日間を予定しています。またアーカイブは原則として編集は行いません。
※マイページからZoomの録画視聴用リンクにてご視聴いただきます。
備考※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

セミナー講師

大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻 教授 浜口 智志 氏
【経歴】
1982年東京大学理学部物理学科卒業
1987年同大学院理学系研究科物理学専攻博士課程修了
1988年ニューヨーク大学大学院数学科博士課程修了
1988年-1990年テキサス大学物理学科核融合研究所(IFS) 研究員
1990年-1998年IBM ワトソン研究所主任研究員
1998年-2004年京都大学エネルギー科学研究科・助教授
2004年-現在 大阪大学工学研究科・教授
【学位】理学博士、Ph.D. in mathematics
【専門】プラズマ物理学、プラズマプロセス工学、核融合科学
【学会活動】国際真空科学技術応用国際連合(IUVSTA)プラズマ科学技術分科会(PSTD)長、Journal of Plasma Medicine 編集委員長、ライプニッツ・プラズマ科学技術研究所(ドイツ)科学諮問評議会委員、プラズマ医療国際学会(IPMS)元会長、米国真空学会(AVS) プラズマ科学技術分科会(PSTD)長、等。
【受賞】2016:プラズマ賞・米国真空学会(AVS), 2012:米国物理学会(APS)フェロー、2011:AVSフェロー、2019ドイツ研究振興協会メルカトールフェロー、2022:日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会プラズマ材料科学賞 等
【WebSite】http://www.camt.eng.osaka-u.ac.jp/hamaguchi/

セミナー趣旨

 本講座では、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング(ALE)技術について、表面反応機構から最新技術動向までを詳しく紹介する。関連項目として、プラズマCVDと原子層堆積(ALD)プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション(DX)の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。

セミナー講演内容

<習得できる知識>
・プラズマプロセスの基礎知識
・ドライエッチングの基礎知識
・原子層エッチング(ALE)の基礎知識と最新技術動向


<プログラム>
1.背景

2.プラズマ科学の基礎

3.代表的なプラズマプロセス装置

4.反応性イオンエッチング(RIE)の基礎

 4.1 プラズマ表面相互作用
 4.2 表面帯電効果
 4.3 シリコン系材料エッチング反応機構
 4.4 金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
 4.5 高アスペクト比(HAR)エッチング概要

5.プラズマCVD概要:原子層堆積(ALD)の基礎として

6.ALDプロセスの概要:原子層エッチング(ALE)の逆過程として

 6.1 熱ALD
 6.2 プラズマ支援(PA-)ALD

7.ALEプロセスの概要と最新技術動向
 7.1 PA-ALE
 7.2 熱ALE:リガンド交換
 7.3 熱ALE:金属錯体形成

8.半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション(DX)
 8.1 プロセス数値シミュレーションとTCAD(technical computer aided design)
 8.2 仮想計測(VM)とプロセス装置制御
 8.3 マテリアルズ・インフォマティクス
 8.4 プロセス開発における機械学習(ML)・AIの活用

9.まとめ

  □質疑応答□