B241211:シリコンパワー半導体の性能向上・機能付加の最新動向と今後の展望 | 技術セミナーの開催・書籍出版　サイエンス＆テクノロジー＜Ｓ＆Ｔ＞

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セミナーセミナー番号:B241211(シリコンパワー半導体)

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テレワーク応援キャンペーン【オンライン配信セミナー1名受講限定】半導体産業応援キャンペーン対象セミナー【3名以上での申込みがお得】

シリコンパワー半導体の性能向上・機能付加の
最新動向と今後の展望

Si-IGBTの性能向上とそれを支える材料・プロセス技術
大口径インテリジェント・シリコンパワー半導体の開発動向

受講可能な形式：【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ

☆現状のSiパワー半導体の性能限界を突破し、耐圧・電流密度等で現在のSiCパワーデバイスと同等以上の性能を実現する材料・プロセス技術。
☆大口径のシリコンパワー半導体にAI等の機能を付加し、高度な自己制御機能を持たせた大口径インテリジェント・シリコンパワー半導体。
新世代Siパワー半導体の開発動向について、サプライチェーン全体のパワー半導体の動向、SiおよびWBGパワーデバイスの開発動向や将来展望を含めて解説。専門外の項目も理解しやすいように分かりやすく解説します。

日時

2024年12月11日（水） 13:00～16:30

受講料(税込)

各種割引特典

49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,970円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について

定価：本体45,000円＋税4,500円

E-Mail案内登録価格：本体42,700円＋税4,270円

E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件

2名で49,500円 (2名ともE-Mail案内登録必須／１名あたり定価半額の24,750円)

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1名申込みの場合：受講料37,400円( E-Mail案内登録価格 35,640円)　
　定価：本体34,000円＋税3,400円
　E-Mail案内登録価格：本体32,400円＋税3,240円
※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
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3名以上のお申込みで1名あたり：受講料 22,000円
　本体20,000円＋税2,000円(1名あたり)
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※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。

■■■受講人数ごとのお申込み例■■■

1名で受講の場合：35,640円(税込)　※テレワーク応援キャンペーン/E-mail案内登録の場合
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4名で受講の場合：88,000円(税込)　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり22,000円(税込)
5名で受講の場合：110,000円(税込)　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり22,000円(税込)

配布資料

PDFテキスト(印刷可・編集不可)
※開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。

オンライン配信

ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
■アーカイブ配信について
　視聴期間：終了翌営業日から7日間［12/12～12/18中］を予定
　※動画は未編集のものになります。
　※視聴ページは、遅くとも終了翌営業日の正午までにマイページにリンクを設定します。

備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

セミナーリクエスト

得られる知識
パワー半導体を取り巻く環境について総合的に整理し、シリコンおよび化合物パワー半導体の開発動向、サプライチェーン全体を通してのパワー半導体の動向、将来展望について解説する。特に、限界がうたわれて久しいシリコンパワー半導体について、性能向上、機能向上などを含め、継続的に進化し続けている状況を解説する。

受講対象
パワーデバイスを中心として、材料、プロセス、パワーエレクトロニクス応用に関係する方々
予備知識：不要です。材料・プロセス・デバイスとサプライチェーンをまたぐ解説を予定していて、自身の専門のところ以外もご理解いただけるよう注意して講演する予定です。（例：材料の方がパワエレの項目もご理解いただけるように）

セミナー講師

九州大学　応用力学研究所　教授　博士(工学)　西澤伸一　氏

専門：パワー半導体材料、パワーデバイスプロセス、結晶工学
1996～2017　電子技術総合研究祖・産業技術総合研究所にて、SiC及びSiを中心に、パワー半導体材料、デバイス・パワーエレクトロニクスの研究開発に従事。
2017～現在　九州大学にて、Siを中心に、パワー半導体材料、パワーデバイスプロセス、パワーデバイスの研究開発に従事
研究室HP：https://www.riam.kyushu-u.ac.jp/rese/rese.html

セミナー趣旨

　世界的に急増するエネルギー需要と脱炭素社会を両立させるために、グリーン成長戦略において電力のグリーン化・電化がうたわれている。電力エネルギー流をつかさどる新しいパワー半導体、パワーエレクトロニクス技術の構築、およびその普及が急務となっている。
　本講演では、パワーデバイスを取り巻く環境、今後の動向について解説し、特にシリコン半導体およびIGBTを主として取り上げ、SI-IGBT性能向上、それを支える材料・プロセス技術の開発動向を紹介する。また、パワーデバイスにデジタル技術を融合することで、パワーデバイス動作性能向上に加え、機能付加など、新しい方向性を紹介する。

セミナー講演内容

１．グリーン社会実現へ向けて

２．パワーデバイスの開発動向

３．Si-IGBTの性能向上に向けて
　3.1 スケーリングIGBT
　3.2 ウェハおよびプロセス技術
　3.3 ゲートドライブ技術

４．SiおよびWBGパワーデバイスの現状と将来

５．今後の展望　　

　□質疑応答□

※以下のNEDOプロジェクトでの取り組みを中心に、紹介させていただきます。
１．経産省/NEDO：低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト（新世代Siパワーデバイス技術開発）2014～2019年度
２．経産省/NEDO：省エネエレクトロニクスの製造基盤強化に向けた技術開発事業（大口径インテリジェント・シリコンパワー半導体の開発）2021～2025年度

セミナーリクエスト

セミナーセミナー番号:B241211(シリコンパワー半導体)

シリコンパワー半導体の性能向上・機能付加の最新動向と今後の展望

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セミナー講師

セミナー趣旨

セミナー講演内容

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