B240947:ダイヤモンド半導体デバイスの研究開発動向と課題・展望 | 技術セミナーの開催・書籍出版　サイエンス＆テクノロジー＜Ｓ＆Ｔ＞

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セミナーセミナー番号:B240947(ダイヤモンド半導体)

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ダイヤモンド半導体デバイスの
研究開発動向と課題・展望

ダイヤモンドの物性・ポテンシャル、ダイヤモンドウェハの製造技術、
トランジスタ・ダイオードおよびその他デバイスへの応用など。

受講可能な形式：【Live配信】のみ

優れた材料物性から「究極の半導体材料」と称されるダイヤモンド。
その物性や可能性、成長技術や研磨などのダイヤモンドウェハの製造技術、各デバイス応用、実用化への課題・展望などについて解説します。

日時	2024年9月27日（金） 13:00～16:30
受講料(税込) 各種割引特典	49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,970円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について定価：本体45,000円＋税4,500円 E-Mail案内登録価格：本体42,700円＋税4,270円
受講料(税込) 各種割引特典	E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件 1名分無料適用条件 ※2名様ともE-Mail案内登録が必須です。　2名様以降の受講者は、申込み前にE-Mail案内登録をお済ませください。 ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。 ※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。 ※請求書（クレジットカード決済の場合は領収書）は、代表者にS&T会員マイページにて発行いたします（PDF）。 ※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。) ※他の割引は併用できません。 2名で49,500円 (2名ともE-Mail案内登録必須／１名あたり定価半額24,750円) ※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】　1名申込みの場合：受講料( 定価：37,400円／E-mail案内登録価格 35,640円 ) 　定価：本体34,000円＋税3,400円　E-mail案内登録価格：本体32,400円＋税3,240円 ※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 ※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。 ※他の割引は併用できません。
配布資料	製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定) 　※開催まで4営業日～前日にお申込みの場合、　　セミナー資料の到着が開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承ください。　　Zoom上ではスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
オンライン配信	ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
備考	※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。
得られる知識	・ダイヤモンドの物性・ダイヤモンド半導体研究の歴史・ダイヤモンドウェハ及びデバイスに関する要素技術と課題
対象	・ポストSiC、GaNパワーデバイスに興味をお持ちの方・ダイヤモンドウェハ及びデバイス開発状況に興味をお持ちの方

セミナーリクエスト

セミナー講師

金沢大学　ナノマテリアル研究所　教授(リサーチプロフェッサー)／Arizona State University Visiting Professor／株式会社Kanazawa Diamond　取締役／株式会社VISION IV　技術顧問　博士(工学)　徳田規夫　氏

専門：半導体工学
【受賞歴】
これまでに、応用物理学会論文賞や応用物理学会薄膜表面分科会論文賞、応用物理学会講演賞など計１１件の受賞
【研究内容】
学生時代に行っていた原子レベルのシリコンゲート絶縁膜、表面・界面構造制御に関する経験を基に、原子レベルのダイヤモンドエピタキシャル成長、ダイヤモンド表面・界面構造制御に関する研究に取り組み、2016年に、世界で初めて反転層ダイヤモンドMOSFETの開発に成功。現在は、ダイヤモンドウェハの開発からパワーデバイス、量子デバイスに関する研究を一貫して行っている。

セミナー趣旨

　ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つことから、省エネ・低炭素社会の実現に資する革新的なパワーデバイス材料として期待されています。また、近年ではダイヤモンド中の窒素-空孔（NV）中心を用いた室温動作の量子デバイス/センサへの応用が期待されています。　
　本講演では、半導体材料としてのダイヤモンドの魅力、そしてダイヤモンド半導体研究の歴史について概説し、ダイヤモンドウェハ、ダイオード、トランジスタ、そしてその他のデバイス応用に関する研究開発状況、課題および展望について、我々の研究成果（例：世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFET 等）を中心に解説します。

セミナー講演内容

１．はじめに
　1.1 半導体材料としてのダイヤモンドの魅力
　1.2 ダイヤモンド半導体研究の歴史　

２．ダイヤモンドウェハ製造技術
　2.1 成長技術（高温高圧, プラズマCVD, 熱フィラメントCVD）
　2.2 不純物ドーピング技術
　2.3 スライス・カット技術
　2.4 研磨技術

３．ダイヤモンドダイオード
　3.1 ショットキーバリアダイオード
　3.2 PN接合ダイオード
　3.3 ショットキーPNダイオード(SPND)

４．ダイヤモンドトランジスタ
　4.1 MESFET
　4.2 JFET
　4.3 BJT
　4.4 MOSFET

５．その他のダイヤモンド半導体のデバイス応用
　5.1 励起子を用いた深紫外線発光デバイス
　5.2 負の電子親和力を用いた電子放出デバイス
　5.3 ダイヤモンド電気化学電極

６．まとめと今後の展開

　□ 質疑応答 □

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セミナーセミナー番号:B240947(ダイヤモンド半導体)

ダイヤモンド半導体デバイスの研究開発動向と課題・展望

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