B250754:量子ドットの基礎物性、作製、構造測定技術とデバイス応用 | 技術セミナーの開催・書籍出版　サイエンス＆テクノロジー＜Ｓ＆Ｔ＞

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セミナーセミナー番号:B250754(量子ドット)

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量子ドットの基礎物性、作製、
構造測定技術とデバイス応用

～量子ドットの作製（主にエピタキシャル成長法）からデバイス応用に関する基礎的な解説～

受講可能な形式：【ライブ配信】or【アーカイブ配信】のみ

量子ドットの発光波長制御、高密度化、低密度、配列・位置制御、、、
量子ドットデバイスの開発と性能の向上のために
エピタキシャル量子ドットのデバイス応用
さらなる高密度化と高均一化、デバイス性能の向上を目指して
基礎的な解説と実際の実験データやデバイス試作例を交えて解説

日時

【ライブ配信】 2025年7月4日（金） 13:00～16:30

【アーカイブ配信】 2025年7月22日（火）まで受付(視聴期間：7/22～8/4）

受講料(税込)

各種割引特典

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　　※他の割引は併用できません。

配布資料

PDFデータ(印刷可・編集不可)
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※アーカイブ配信受講は配信開始日からダウンロード可となります。

オンライン配信

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アーカイブ配信　►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）

備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

得られる知識

・量子ドットの基礎物性
・量子ドットの基礎的な作製方法
・量子ドット構造の基礎的な測定評価方法
・量子ドットを利用したデバイス応用の基礎

対象

電子・光デバイスメーカー、情報通信機器メーカーの研究開発・生産製造に携わる方（初心者から中級者まで）、大学、高専、研究機関の研究者、学生など

キーワード：半導体,量子ドット,デバイス,結晶成長,エピタキシャル成長,構造分析,半導体レーザ,太陽電池

セミナーリクエスト

セミナー講師

国立大学法人電気通信大学　大学院情報理工学研究科　基盤理工学専攻　教授　博士（工学）　山口浩一　氏
【講師紹介】

セミナー趣旨

　高度情報化・高度知識化の進展によりさらに高速で大容量の情報の伝送・処理が求められ、一方では、膨大なデータ・情報量の伝送・処理にともなうエネルギー消費の増大が深刻な問題となっている。未来社会の持続的発展には、超高度情報化社会を支える超低消費電力で高性能・高機能を有する革新的な量子デバイスおよび高効率のエネルギー変換デバイスの開発が急務である。3次元量子井戸構造の量子ドット内に閉じ込められた電子は、原子中の電子のような性質をもつことから「人工原子」とも呼ばれ、様々な次世代の光電子デバイスへの応用が提案され、試作開発が進められている。量子ドットデバイスの開発に向けては、量子ドット構造を精密に制御して作製する高度な結晶成長技術とその量子ドットの構造の測定評価技術の修得が重要である。
　本セミナーでは、量子ドットの作製（エピタキシャル成長法）、量子ドット構造の測定評価法、そして量子ドットのデバイス応用に関する基礎的な解説と実際の実験データやデバイス試作例の紹介を交えて分かりやすく解説する。

セミナー講演内容

1．量子ドットの基礎
　1-1 半導体ナノ構造の展開
　1-2 半導体量子ドット構造

2．量子ドットのエピタキシャル成長法
　2-1 半導体エピタキシャル成長技術の進展
　2-2 量子ドットのエピタキシャル成長法の基礎
　2-3 量子ドットのエピタキシャル成長過程

3．量子ドット構造の評価解析法
　3-1 走査型プローブ顕微鏡
　3-2 走査電子顕微鏡
　3-3 反射高速電子線回折
　3-4 透過電子顕微鏡
　3-5 その他の測定解析法

4．エピタキシャル量子ドットの構造制御
　4-1 量子ドットの高均一化
　4-2 量子ドットの発光波長制御
　4-3 量子ドットの高密度化
　4-4 量子ドットの低密度化
　4-5 量子ドットの配列・位置制御

5．エピタキシャル量子ドットのデバイス応用
　5-1 量子ドットレーザへの応用
　5-2 量子ドット広帯域LEDへの応用
　5-3 量子ドット単一光子発生器への応用
　5-4 量子ドット共鳴トンネルダイオードへの応用
　5-5 量子ドット太陽電池への応用
　5-6 その他

6．まとめ、今後の課題と展望

質疑応答

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セミナーセミナー番号:B250754(量子ドット)

量子ドットの基礎物性、作製、構造測定技術とデバイス応用

1名分無料適用条件

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