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May 8, 2017
パワー半導体用SiCの
単結晶成長技術およびウェハ加工技術の開発動向
～高品位質、大口径化、量産化、低コスト化を実現するために～
受講可能な形式：【ライブ配信】のみ
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク
SiC単結晶の合成・成長方法、結晶欠陥と制御、大口径結晶の成長
ウェハ切断、研削、研磨、大口径化対応、SiCウェハ産業動向
現状の単結晶成長技術、ウェハ加工技術では何が課題なのか、対応策はあるのか
半導体用SiCの基礎知識、SiCウェハの製造（結晶成長、加工、評価）技術の開発動向、SiCウェハ産業の動向
SiCパワー半導体の次世代省エネルギー電力制御機器として社会実装に向けて
ウェハ切断、研削、研磨、大口径化対応、SiCウェハ産業動向
現状の単結晶成長技術、ウェハ加工技術では何が課題なのか、対応策はあるのか
半導体用SiCの基礎知識、SiCウェハの製造（結晶成長、加工、評価）技術の開発動向、SiCウェハ産業の動向
SiCパワー半導体の次世代省エネルギー電力制御機器として社会実装に向けて
| 日時 | 【ライブ配信】 2025年4月24日（木） 10:30～16:30 |
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|---|---|---|---|---|
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受講料(税込)
各種割引特典
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55,000円
( E-Mail案内登録価格 52,250円 )
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1名申込みの場合：受講料 44,000円(E-Mail案内登録価格 42,020円 ) 定価：本体40,000円＋税4,000円 E-Mail案内登録価格：本体38,200円＋税3,820円 ※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 ※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。 ※他の割引は併用できません。
3名以上のお申込みで1名あたり：受講料 24,200円 本体22,000円＋税2,200円(1名あたり) ※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。 ※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。 ※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。
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| 配布資料 | 製本資料（開催日の4、5日前に発送予定)） ※ライブ配信受講で開催まで4営業日～前日にお申込みの場合、 到着が間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。 | |||
| オンライン配信 | ライブ配信（Zoom） ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください） | |||
| 備考 | ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 | |||
| 得られる知識 | 半導体用SiCウェハ製造技術（結晶成長、加工、評価）の基礎知識、これまでの開発動向、現在の技術課題とアプローチ、SiCウェハ産業の動向に関する知識 | |||
| キーワード：SiC、パワー半導体、ウェハ製造技術、単結晶成長、ウェハ加工、結晶欠陥、加工変質層、材料評価、開発動向、市場動向 |
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セミナー講師
セミナー趣旨
SiCパワー半導体はここ数年で省エネルギー電力制御機器として各産業分野に実装が進み、SiCウェハ産業も世界的に拡大しつつある。SiCウェハは極めて硬く安定な材料であるため、その材料となるSiC単結晶の成長やウェハ加工は技術的にシリコンよりかなり難易度が高いことが知られている。
本セミナーではSiC単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説する。
本セミナーではSiC単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説する。
セミナー講演内容
1．SiCパワー半導体の開発動向とSiCウェハ開発
1）SiCの基礎と物性
i) 身近なSiC
ii) ワイドギャップ半導体と特徴
iii) SiCウェハ
iiii) 他半導体材料とSiCの違い
2）SiCパワー半導体への応用
i) SiCを使ったパワーエレクトロニクス技術
ii) SiCパワー素子がもたらす技術変革・応用事例
3）SiCウェハの材料技術開発の動向と市場の要求
i) パワー半導体用SiCウェハ開発の歴史
ii) 国内・外でのSiCウェハ開発動向
iii) SiCウェハ開発に対する今後の期待
2．SiC単結晶製造技術
1）SiC単結晶の合成・成長方法
i) SiCの合成
ii) SiC単結晶の量産技術
iii) 各種SiC単結晶成長技術の特徴
iiii) シリコンから見たSiC単結晶製造技術の課題と期待
2）結晶多形と特徴
i) SiCの結晶多形（ポリタイプ）と物性
ii) 多形制御技術
3）結晶欠陥と制御
i) SiC単結晶の結晶欠陥と影
ii) SiC単結晶の欠陥評価技術
iii) SiC単結晶の欠陥抑制技術
4）大口径結晶の成長
i) SiC単結晶の口径拡大成長技術
ii) 大口径化がもたらす効果と技術課題
5）n/p型の伝導度制御
i) SiC単結晶の伝導度制御
ii) SiC単結晶の低抵抗化技術
3．SiCウェハ加工技術
1）SiCのウェハ加工
i) SiCウェハ加工工程と技術課題
2) ウェハ切断工程
i) SiC単結晶の切断技術
ii) 切断工程の高速化技術
iii) 切断工程の課題と新しい切断技術
3）ウェハ研削工程
i) SiCウェハの研削加工
ii) 研削加工の高速・鏡面化技術
iii) 研削工程の課題と新しい研削加工技術
4) ウェハ研磨工程
i) SiCウェハの研磨加工
ii) 研磨加工と研削加工の特徴や違い
iii) 研磨工程の課題と新しい研削加工技術
5）CMP工程
i) SiCウェハのCMP加工
ii) CMPの高速化技術
iii) CMP工程の課題と新しいCMP加工技術
6) 加工変質層と評価
i) 加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴
ii) 加工変質層の評価技術
iii) 加工変質層の抑制技術
7) 大口径化対応
i) SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題
ii) 大口径化対応へ向けた解決策の検討
質疑応答
1）SiCの基礎と物性
i) 身近なSiC
ii) ワイドギャップ半導体と特徴
iii) SiCウェハ
iiii) 他半導体材料とSiCの違い
2）SiCパワー半導体への応用
i) SiCを使ったパワーエレクトロニクス技術
ii) SiCパワー素子がもたらす技術変革・応用事例
3）SiCウェハの材料技術開発の動向と市場の要求
i) パワー半導体用SiCウェハ開発の歴史
ii) 国内・外でのSiCウェハ開発動向
iii) SiCウェハ開発に対する今後の期待
2．SiC単結晶製造技術
1）SiC単結晶の合成・成長方法
i) SiCの合成
ii) SiC単結晶の量産技術
iii) 各種SiC単結晶成長技術の特徴
iiii) シリコンから見たSiC単結晶製造技術の課題と期待
2）結晶多形と特徴
i) SiCの結晶多形（ポリタイプ）と物性
ii) 多形制御技術
3）結晶欠陥と制御
i) SiC単結晶の結晶欠陥と影
ii) SiC単結晶の欠陥評価技術
iii) SiC単結晶の欠陥抑制技術
4）大口径結晶の成長
i) SiC単結晶の口径拡大成長技術
ii) 大口径化がもたらす効果と技術課題
5）n/p型の伝導度制御
i) SiC単結晶の伝導度制御
ii) SiC単結晶の低抵抗化技術
3．SiCウェハ加工技術
1）SiCのウェハ加工
i) SiCウェハ加工工程と技術課題
2) ウェハ切断工程
i) SiC単結晶の切断技術
ii) 切断工程の高速化技術
iii) 切断工程の課題と新しい切断技術
3）ウェハ研削工程
i) SiCウェハの研削加工
ii) 研削加工の高速・鏡面化技術
iii) 研削工程の課題と新しい研削加工技術
4) ウェハ研磨工程
i) SiCウェハの研磨加工
ii) 研磨加工と研削加工の特徴や違い
iii) 研磨工程の課題と新しい研削加工技術
5）CMP工程
i) SiCウェハのCMP加工
ii) CMPの高速化技術
iii) CMP工程の課題と新しいCMP加工技術
6) 加工変質層と評価
i) 加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴
ii) 加工変質層の評価技術
iii) 加工変質層の抑制技術
7) 大口径化対応
i) SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題
ii) 大口径化対応へ向けた解決策の検討
質疑応答
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番号 M084
発刊
2023年04月
書籍
番号 M080
発刊
2023年02月
光半導体とそのパッケージング・封止技術
～LED,レーザ,フォトダイオード,光ICなど、光半導体の種類・原理・用途から
封止・材料技術、ディスプレイや高速通信など先端応用に関わる開発課題まで～
化学・材料 | エネルギー・環境・機械
書籍
番号 M069
発刊
2021年03月
小型化・集密化する電子デバイスを支える熱輸送・冷却技術の進化と新展開
・小型化/高機能化する電子デバイスに求められるサーマルマネジメント技術の進化
・ヒートパイプの/ 極薄化 / 自励振動型 / ループ型、 並列細管熱輸送デバイスの開発動向
・沸騰冷却 / 磁性流体 / 電気流体力学（EHD） 現象を利用した、熱輸送デバイスの開発
・新しい熱輸送現象として注目される「表面フォノンポラリトン」の原理と応用展開
・5G 対応スマートフォンおよびミニ基地局の放熱対策部品の事例を製品分解をもとに解説
エレクトロニクス | 化学・材料 | エネルギー・環境・機械
書籍
番号 M061
発刊
2020年08月
環境発電・エネルギーハーベスティング技術―デバイス開発と応用展開―
～各種発電技術の仕組み・特徴、市場動向、先進的なデバイス・応用開発事例まで～
エレクトロニクス | 化学・材料 | エネルギー・環境・機械
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