B250550:半導体露光技術の発展、およびEUV露光装置の現状と将来展望 | 技術セミナーの開催・書籍出版　サイエンス＆テクノロジー＜Ｓ＆Ｔ＞

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セミナーセミナー番号:B250550(EUV露光装置)

化学・材料

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テレワーク応援キャンペーン【オンライン配信セミナー1名受講限定】半導体産業応援キャンペーン対象セミナー【3名以上での申込みがお得】

半導体露光技術の発展、
およびEUV露光装置の現状と将来展望

リソグラフィ技術の原理全般を把握し、
装置の構成要素からEUV露光装置の最新技術までを詳しく解説

受講可能な形式：【Live配信】or【アーカイブ配信】のみ

本セミナーでは、半導体露光技術の進化の過程をリソグラフィ関連全般を原理的視点から解説し、EUV露光装置の特徴から技術的進展、最新技術、そして今後の展望について深掘りしていきます。さらに、解像度の決定要因やEUV技術がもたらす革新と将来展望について、基礎から詳しく説明します。
　※予備知識は不要ですが、四則演算、三角関数、微積分、平均値と標準偏差、等の基礎知識は必要です。

　セミナーのポイント　

　・半導体リソグラフィ技術の進化
　　　露光技術の歴史と進化の流れ、半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの役割
　・半導体露光装置の構成や特徴
　　　投影露光装置の構成や性能、解像度パラメータや露光波長の概要と数式による理解
　・EUV露光装置の最新技術と展望
　　　EUV露光技術(光源や多層膜反射光学系、EUVマスクなど)やレジスト材料、EUV露光装置の高NA化
　・Cost of Ownership　
　　　EUV露光装置にかかるコストとその影響を考察

　このような方におすすめ　
　・半導体業界でのリソグラフィ技術の最新動向を知りたい方
　・半導体製造プロセスに携わる技術者、若手技術者、新人エンジニア
　・EUV露光技術の詳細を理解したい技術者や研究者
　・半導体産業の未来と技術的課題に関心がある方

キーワード：EUV、半導体露光装置、リソグラフィ

日時

【Live配信】 2025年5月20日（火） 13:00～16:30

【アーカイブ配信】 2025年6月3日（火）まで申込み受付（視聴期間：6/3～6/16）

受講料(税込)

各種割引特典

49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,970円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について

定価：本体45,000円＋税4,500円

E-Mail案内登録価格：本体42,700円＋税4,270円

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2名で49,500円 (2名ともE-Mail案内登録必須／１名あたり定価半額の24,750円)

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1名申込み：受講料 39,600円(E-Mail案内登録価格 37,840円)
　定価：本体36,000円＋税3,600円
　E-Mail案内登録価格：本体34,400円＋税3,440円
　　※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
　　※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
　　※他の割引は併用できません。

【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク

3名以上のお申込みで1名あたり：受講料 22,000円
　本体20,000円＋税2,000円(1名あたり)
※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。
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※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。

■■■受講人数ごとのお申込み例■■■

1名で受講の場合：37,840円(税込)　※テレワーク応援キャンペーン/E-mail案内登録の場合
2名で受講の場合：49,500円(税込)　※2名同時申込みで1名分無料：1名あたり24,750円(税込)
3名で受講の場合：66,000円(税込) 　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり22,000円(税込)
4名で受講の場合：88,000円(税込)　 ※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり22,000円(税込)
5名で受講の場合：110,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり22,000円(税込)

配布資料

製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定)
・Live配信受講者：お申込み時のご住所へ開催日の４～５日前に発送いたします。
　　　　　　　　※開催まで4営業日～前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が、
　　　　　　　　　開講日に間に合わない可能性がございますが、あらかじめご了承ください。
　　　　　　　　　Zoom上ではスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
・アーカイブ配信受講者：開催日を目安に発送。

オンライン配信

ZoomによるLive配信　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
アーカイブ配信　►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）
　セミナー視聴・資料ダウンロードはマイページから
　お申し込み後、マイページの「セミナー資料ダウンロード／映像視聴ページ」に
　お申込み済みのセミナー一覧が表示されますので、該当セミナーをクリックしてください。

備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

得られる知識

・半導体製造プロセスにおけるリソグラフィの位置づけ、半導体露光装置の歴史を理解できる。
・半導体露光装置の構成と性能特に解像度の決定要因と部分的コヒーレンス理論を理解することができる。
・EUV露光装置の特徴を理解することができる。
・レジスト材料の原理を理解することができる

対象

半導体製造プロセスのうち、リソグラフィ関連全般を原理的な視点から理解したい方（新人、若手技術者、マネジメント）

セミナーリクエスト

セミナー講師

国立大学法人東京科学大学　物質・情報卓越教育院　産学協創教育コーディネーター　博士（工学）　鈴木一明　氏
[ご専門] 精密工学、半導体微細加工技術、X線非破壊検査技術
講師情報

セミナー趣旨

半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ、パターン微細化に伴う半導体露光方式の進化の流れを、専門外の方々にもわかりやすく説明する。次に、投影露光装置の構成、主要性能と要素性能の関係について述べ、露光装置についての定性的理解を深めてもらう。更に、解像度に対する投影光学系、照明光学系のパラメータと露光波長の寄与について数式を用いて詳しく説明し、専門の方には計算の仕方を、専門外の方には計算結果の意味するところを理解してもらう。そして、多層膜反射光学系を含むEUV露光装置とその関連技術の特徴、最新状況、今後の展望について説明する。最後に、露光装置によって形成される光学像強度分布からレジスト像への転写原理、レジスト材料の原理について述べる。

セミナー講演内容

１．半導体高集積化のトレンドと露光装置の位置づけ

２．露光装置概観
　2.1 半導体露光装置の露光方式の進化
　2.2 露光装置の性能と要素機能、露光技術の発展
　　（部分的コヒーレンス理論、解像度、解像度向上策、重ね合わせ精度、スループット etc.）

３．EUV露光装置
　3.1 EUV露光装置の特徴
　　（光源、多層膜反射光学系、真空ステージ、EUVマスク etc.）
　3.2 EUV露光装置の高NA化
　3.3 将来展望
　3.4 レジスト材料の原理

４．Cost of Ownership

□質疑応答□

セミナーリクエスト

セミナーセミナー番号:B250550(EUV露光装置)

半導体露光技術の発展、およびEUV露光装置の現状と将来展望

1名分無料適用条件

セミナー講師

セミナー趣旨

セミナー講演内容

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