A240926:ＡＬＤ（原子層堆積法）の基礎とプロセス最適化および最新技術動向 | 技術セミナーの開催・書籍出版　サイエンス＆テクノロジー＜Ｓ＆Ｔ＞

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セミナーセミナー番号:A240926(ALD：原子層堆積法)

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【 2 名同時申込で 1 名無料】対象セミナー早期申込割引価格対象セミナー【1名受講限定】

ＡＬＤ（原子層堆積法）の基礎と
プロセス最適化および最新技術動向

■今、ホットで注目のＡＬＤを基礎から学びます。高品質化・最適化へ■

受講可能な形式：【会場受講】のみ
※オンラインセミナーはありません。

★ 霜垣先生が、ALDの最新動向を熱く解説いたします。セミナー会場でここだけの話。をたくさん聞いてください！
★ CVD／ALDプロセスの速度論からALDプロセス最適化へ。ALDプロセス周辺技術も徹底解説します。

日時	2024年9月27日（金） 10:30～16:30
会場	東京・千代田区駿河台連合会館 5F 502会議室	会場地図
講師	東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻教授　霜垣幸浩　氏【専門】　反応工学・デバイスプロセス【主な研究内容】　CVD/ALD法による高信頼性ULSI多層配線形成【主な活動】　化学工学会・CVD反応分科会【講師WebSite】 https://www.dpe.mm.t.u-tokyo.ac.jp/ （研究室） https://scej-cre.org/cre/cvd（CVD反応分科会）
受講料(税込) 各種割引特典	55,000円 ( E-Mail案内登録価格 52,250円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について定価：本体50,000円＋税5,000円 E-Mail案内登録価格：本体47,500円＋税4,750円
受講料(税込) 各種割引特典	E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件 1名分無料適用条件 ※2名様ともE-mail案内登録が必須です。　2名様以降の受講者は、申込み前にE-mail案内登録をお済ませください。 ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。 ※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価の半額で追加受講できます。 ※請求書(クレジットカード決済の場合は領収書)は、代表者にS&T会員マイページにてPDF発行いたします。 ※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。) ※他の割引は併用できません。 2名で55,000円 (2名ともE-mail案内登録必須／1名あたり定価半額27,500円)
配布資料	製本テキスト（当日会場でお渡しします。）
備考	※昼食付 ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

セミナーリクエスト

セミナー趣旨

　最先端半導体集積回路の作製に必須となっているALD（Atomic Layer Deposition、原子層堆積法）は、数ナノメートル程度の極薄膜作製手法として膜厚の制御性や再現性に優れ、３次元立体構造への均一製膜なども可能であるという特徴を持っています。そのため、ULSIゲート酸化膜形成、メモリキャパシタ形成などに応用展開されています。また、簡単な装置構成でも薄膜形成が可能であることから、各種コーティング用途にも利用されるようになりました。
　しかし、そのプロセスは原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定はかなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。本講座では、まずALDの基礎知識を養い、プロセスの最適化の指針を理解することを目標とします。また、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。

セミナー講演内容

＜得られる知識・技術＞
ALDプロセスの基本的な特徴と応用範囲の基本を習得できます。また、各種のALDプロセスの応用事例や、最先端半導体デバイスへの応用など最新の研究開発動向について学びます。その他に、原料ガスや反応ガス選択の指針や、その場観察手法として利用されているQCM（Quartz Crystal Microbalance）などの解析手法についても学習できます。

＜プログラム＞
１．薄膜作製プロセス概論
　1.1 薄膜の種類と用途
　1.2 薄膜ドライプロセスとウェットプロセス
　1.3 PVD（Physical Vapor Deposition）とCVD（Chemical Vapor Deposition）
　1.4 半導体集積回路（ULSI）の微細化とALDプロセスの採用

２．ALDプロセスの概要と特徴
　2.1 ALD（Atomic Layer Deposition）プロセスの概要と理想的プロセス特性
　2.2 ALDプロセスの歴史的発展
　2.3 ALDプロセスの応用事例
　　2.3.1 最先端ULSIデバイスでのALD活用事例
　　2.3.2 DRAMでのALD活用事例
　　2.3.3 3D-NANDフラッシュメモリでの活用事例
　　2.3.4 その他の応用事例
　2.4 ALD装置
　2.5 ALD原料ガス
　2.6 ALE（Atomic Layer Etching）の原理とプロセス特性
　2.7 AS（Area Selective）-ALD（選択成長）の原理と活用

３．薄膜作製プロセスの基礎
　3.1 真空の基礎
　3.2 真空蒸着・イオンプレーティング
　3.3 スパッタリング
　3.4 CVD
　3.5 ALD
　3.6 薄膜作製プロセスの比較

４．CVD・ALDプロセスの速度論
　4.1 CVDプロセスの速度論
　　4.1.1 製膜速度の濃度依存性
　　4.1.2 製膜速度の温度依存性
　　4.1.3 気相反応の影響
　　4.1.4 CVDプロセスの段差被覆性（ステップカバレッジ）
　4.2 ALDプロセスの速度論
　　4.2.1 原料ガス吸着・パージ
　　4.2.2 反応ガス供給・パージ
　　4.2.3 ALDプロセスの段差被覆性（ステップカバレッジ）
　4.3 ALD Window
　　4.3.1 ALD Windowとは？
　　4.3.2 物理吸着の影響と対策
　　4.3.3 反応律速の影響と対策
　　4.3.4 原料ガス熱分解の影響と対策
　　4.3.5 原料ガス脱離の影響と対策
　4.4 CVD・ALDプロセスの最適化
　　4.4.1 バッチ式CVD反応器の量産性と均一性
　　4.4.2 ALDプロセス高スループット化
　4.5 CVDとALDの比較，使い分け

５．QCMを利用したALDその場観察
　5.1 QCM（Quartz Crystal Microbalance）の基礎
　5.2 QCMその場観察の実際

６．ALDプロセスの初期核発生・成長と選択成長
　6.1 初期核発生とインキュベーションサイクル
　6.2 選択成長（Area Selective（AS）ALD）
　6.3 ALD複合プロセス（ALD＋ALE）

７．ALDプロセス関連技術
　7.1 新規原料ガスの評価（蒸気圧，熱分析）
　7.2 原料ガスの供給方法
　7.3 量子化学計算の活用
　7.4 AI機械学習の活用

８．ALD関連国際学会の最新情報
　8.1 ASD2024（2024年4月）
　8.2 ALD/ALE2024（2024年8月）

　　□質疑応答・名刺交換□

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