Hattori Consulting International　代表　工学博士　服部 毅　氏

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専門：半導体工学
　ソニー株式会社に３５年余り勤務し、中央研究所や半導体事業部門で基礎研究、デバイス・プロセス開発から量産ライン（九州および米国テキサス州）の歩留まり向上まで広範な業務を担当。この間、本社経営/研究企画業務、米国スタンフォード大学 留学、同 集積回路研究所客員研究員なども経験。ウルトラクリーンテクノロジー研究室長、リサーチフェローを歴任。2007年に技術・経営コンサルタント、国際技術ジャーナリストとして独立し現在に至る。The Electrochemical Society (ECS)フェロー・終身名誉会員。ECS主催半導体洗浄技術国際会議組織・運営・論文委員。IMEC主催Ultra Clean Processing of Semiconductor Surfaces (UCPSS)国際会議日本代表委員。IEEE主催半導体製造国際会議（ISSM）運営委員。元SEMI　 日本地区スタンダード委員会委員。
　過去に、カリフォルニア大学バークレー校工学部生涯学習講座、大阪大学大学院基礎工学研究科、韓国漢陽大学大学院工学研究科などの非常勤講師や客員教授を歴任。
　最近の基調・招待講演：国際半導体洗浄技術シンポジウムUCPSS2023（ベルギー、2023年9月）にて基調講演、セミコンコリアSEMI Technology Symposium（韓国ソウル、2024年2月）にて招待講演。12024年6月韓国漢陽大学にて集中講義。2025年台湾にて講義予定。
【著書（いずれも共著）】
「メガトレンド半導体2014-2023（日経BP社）」「表面・界面技術ハンドブック(NTS社)」「半導体・MEMSのための超臨界流体（コロナ社）」「シリコンウェーハ表面のクリーン化技術」および同改訂版の新編（リアライズ社、英語版はSpringer社）」「Developments in Surface Contamination and Cleaning Vol.9(共著、オランダElsevier)」、「半導体製造におけるウェット／ドライエッチング技術」（R&D支援センター）「シリコンと化合物半導体の超精密・微細加工プロセス技術」（CMC出版、2024年新刊）、「半導体製造における洗浄技術」（CMC出版　2024年新刊）。
【ホームページ：いずれも登録の必要なく無料公開中】
・マイナビニュースTECH+にて、世界半導体産業および技術最新情報執筆中　⇒ マイナビニュース服部毅氏記事一覧
・セミコンポータル（ウェブサイト）「服部毅のエンジニア論点」連載　⇒「服部毅のエンジニア論点」
・週刊エコノミストに半導体産業動向記事随時執筆　⇒ エコノミスト服部毅氏記事一覧

　ULSI半導体デバイスの微細化に伴い、半導体デバイスの製造現場では、パーティクル（異物微粒子）や金属不純物、表面吸着化学汚染（無機/有機汚染によるケミカル・コンタミネーション）など様々な微小な汚染物質が、半導体デバイスの歩留りや信頼性にますます大きな悪影響を及ぼすようになっています。半導体プロセスは、そのすべてが汚染の発生源と言っても過言ではありません。このため、製造ラインの超クリーン化（全工程にわたり、いかに汚染を防止し、Siウェーハ表面をクリーンに保つか）の重要性が一段と高まっています。設計ルールが5nmを切り、3-2nm時代を迎えるに至り、今後は今まで問題にしてこなかったナノパーティクルの計測と防止・除去が大きな課題となっています。また、イメージセンサでは金属汚染低減が最大の課題となっています。超クリーン化技術は、これまでノウハウとして門外不出の内向きの技術領域として扱われてきましたが、半導体製造の根幹である半導体表面クリーン化の視点に立った科学的アプローチが必要です。
　本セミナーでは、歩留り向上のためのULSI半導体クリーン化技術（ウェーハ表面の汚染をいかに防止するか）について、その基礎から最先端技術までを、実践的な観点から豊富な事例を交えて、初心者にも分かりやすく、かつ具体的に徹底解説します。米国・台湾・日本の様々な半導体クリーンルームや製造現場（450mm～150mmウェーハライン）の実写ビデオを見て議論しながら、考える学習をしましょう。
　だんだん汚染物質が微小（あるいは微少）化しているので、除去が極めて困難になってきたため、汚染防止の重要性が増しております。
　本講座は、いわば「半導体表面に付着する汚染物質をいかに防止するか」に関するセミナーです。加えて３月に「先端半導体洗浄・乾燥技術」というセミナーを開催します。こちらは「半導体表面に付着してしまった汚染をいかに除去するか」に関するセミナーです。最近話題のホットトピックスも取り上げます。ぜひ両方受講されることをお勧めします。

０．ビデオ学習～半導体製造現場・クリーンルーム見学～（講義中に随時上映）
　0.1 最先端（300/450mmFOUP方式）半導体工場クリーンルーム・製造現場見学
　　（米国G450Cの450mmライン、米国Intel、キオクシア（旧東芝メモリ）などの300mm最先端ライン）
　0.2 旧来（150/200mmオープンカセット方式半導体工場クリーンルーム・製造現場見学　　
　⇒講義の合間に随時上映する予定です。
 
１．世界および日本半導体産業の最新動向概説（まずは世界半導体産業の現状を把握しよう）
 
２．クリーン化の目的　（なぜクリーン化すべきか？）
　2.1 歩留向上の重要性
　2.2 歩留の定義
　2.3 歩留習熟曲線とその実例
　2.4 歩留の低下要因
　2.5 ランダム欠陥・固定欠陥
　2.6 歩留り予測モデル（歩留の科学）
　2.7 歩留の科学を理解するための練習問題
　2.8 ホットトピック：チップレットの概念とこれを用いることで歩留向上
 
３．クリーン化の対象（何をクリーン化すべきか？）
　3.1 半導体の最小線幅の年代推移
　3.2 半導体製造における空気清浄度の推移
　3.3 ウェーハ搬送方式の推移
　3.4 汚染発生源の推移
　3.5 ミニエンバイロンメント（200mm SMIF/300・450mm　FOUP）
　3.6 ホットトピック：クリーンルーム不要へ向けてまったく新しい概念のクリーンルーム
　3.7 半導体製造におけるクリーン化の優先順位
　3.8 半導体製造における汚染の実態とそれぞれの汚染によるデバイス不良例
　3.9 ウェーハ表面汚染の種類と主なデバイス特性への影響
　3.10 半導体製造装置・プロセスの主な発塵源
 
４．半導体表面クリーン化の手法（汚染をどのように防止すべきか？）
　4.1 ウェーハ表面の汚染分析手法
　4.2 半導体プロセスにおけるパーティクルの低減・防止対策
　　4.2.1 パーティクルによる様々な不良の実例
　　4.2.2 製造ラインでのパーティクルモニタリング
　　4.2.3 製造ラインでのパーティクル低減手法
　　4.2.4 半導体製造装置の主な発塵減
　　4.2.5 半導体製造プロセスの発塵減と低減防止策
　　4.2.6 パーティクル沈着機構の変遷
　　4.2.7 洗浄によるパーティクル除去メカニズム
　4.3 半導体プロセスにおける金属汚染の低減・防止策
　　4.3.1 金属汚染のデバイスへの影響
　　4.3.2 微細化に伴う新金属材料の必要性
　　4.3.3 金属汚染防止策　
　　4.3.4 金属汚染ゲッタリング策
　　4.3.5 洗浄による金属汚染除去
　4.4 半導体プロセスにおける無機化学汚染の低減・防止策
　　4.4.1 空気中のドーパント起因の不良
　　4.4.2 空気中のアンモニア起因の不良
　　4.4.3 空気中の酸起因の不良
　　4.4.4 空気中の無機化学汚染の低減防止策
　4.5 半導体プロセスにおける有機化学汚染の低減・防止策
　　4.5.1 有機汚染のデバイス・プロセスへの影響
　　4.5.2 リソグラフィにおける有機汚染の分解
　　4.5.3 有機汚染によるレンズやミラーの曇り
　　4.5.4 クリーンルームにおける有機汚染の発生源
　　4.5.5 ウェーハ収納ボックスからの有機汚染発生
　　4.5.6 ウェーハ表面有機汚染の低減・防止策
　　4.5.7 有機汚染の除去メカニズム
　　4.5.8 ウェーハの保管方式の変遷
　4.6 ホットトピック：発生源が内部にあることを想定しなかったFOUPの問題点とFOUP内の窒素パージによる各種汚染の防止策
　4.7 ホットトピックス：FOUP内部の雰囲気分析
　4.8 将来に向けたFOUPを用いないオール枚葉搬送・処理方式の提案
 
５．まとめ
　5.1 クリーン化技術のパラダイム転換
　5.2 今まで計測できなかったナノパーティクルの課題と展望
　5.3 歩留まり向上手法(SPC, APC, FDC,YMSなど)へのビッグデータ、IoT (モノのインターネット)、ＡＩ(人工知能、マシンラーニング)、仮想計測（VM）など最新手法の活用

　□質疑応答□