A241118:ＡＬＤ技術／ＡＬＥ技術の基礎と半導体材料・デバイスへの応用展開 | 技術セミナーの開催・書籍出版　サイエンス＆テクノロジー＜Ｓ＆Ｔ＞

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ＡＬＤ技術／ＡＬＥ技術の基礎と
半導体材料・デバイスへの応用展開

■薄膜形成技術、原子層堆積法、アトミックレイヤーエッチング■

受講可能な形式：【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク

★ アーカイブ受講のみもOKです。
★ 半導体プロセス技術・半導体デバイス技術における堆積・エッチングの原理・材料を基礎から学びます。

日時

【Live配信（アーカイブ配信付き）】 2024年11月18日（月） 10:00～16:00

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2名で受講の場合：55,000円(税込)　※2名同時申込みで1名分無料：1名あたり27,500円(税込)
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4名で受講の場合：96,800円(税込)　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり24,200円(税込)
5名で受講の場合：121,000円(税込)　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり24,200円(税込)

特典

■Live受講に加えて、アーカイブでも１週間視聴できます■
【アーカイブの視聴期間】2024年11月19日(火)～11月25日(月)まで
※このセミナーはアーカイブ付きです。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。

アーカイブ(見逃し)配信について
※視聴期間は終了翌日から7日間を予定しています。またアーカイブは原則として編集は行いません。
※マイページからZoomの録画視聴用リンクにてご視聴いただきます。

配布資料

PDFデータ(印刷可・編集不可)
※開催2日前を目安に、S＆T会員のマイページよりダウンロード可となります。

オンライン配信

ZoomによるLive配信　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）

備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

このセミナーは終了しました。

このセミナーへの問合せ（再開催・社内研修）

セミナー講師

奈良先端科学技術大学院大学教授　浦岡行治　氏
＜略歴＞
1985年　松下電器産業（パナソニック）　半導体研究センター
1994年　松下電器産業（パナソニック）液晶開発センター
1999年　奈良先端科学技術大学院大学　准教授
2009年　奈良先端科学技術大学院大学　教授
2023年　奈良先端科学技術大学院大学　マテリアル研究プラットフォームセンター長
応用物理学会フェロー
＜WebSite＞
https://mswebs.naist.jp/LABs/uraoka/PUBLIC/top/top.html

セミナー趣旨

　AIや5GなどIoT技術の進歩を支えている半導体加工技術において、高機能な薄膜を形成することは、非常に重要である。
　薄膜形成技術については、古くからいろいろな手法が開発され、LSI、ディスプレイ、太陽電池などのエレクトロニクスの分野で広く活用されてきた。
　本セミナーでは、近年、特に注目を浴びているALD（原子層堆積）技術やALE（原子層エッチング）技術について、その基礎と応用について概説する。特に、堆積やエッチングの原理や材料について詳しく紹介する。また、ALDについては、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイス、太陽電池に応用した時の特長や課題についても紹介する。

セミナー講演内容

＜得られる知識・技術＞
　・薄膜形成・加工の物理・評価技術
　・半導体プロセス技術
　・半導体デバイス技術
　・信頼性評価技術

＜プログラム＞
１．薄膜形成技術
　1.1　薄膜作製/加工の基礎
　1.2　薄膜の評価手法
　　1.2.1　電気的評価
　　1.2.2　化学的分析手法
　　1.2.3　光学的評価手法

２．ALD技術の基礎
　2.1　ALD技術の原理
　2.2　ALD薄膜の特長
　2.3　ALD技術の歴史
　2.4　ALD装置の仕組み
　2.5　ALD技術の材料

３．ALD技術の応用
　3.1　パワーデバイスへの応用
　3.2　酸化物薄膜トランジスへの応用
　3.3　MOS LSIへの応用
　3.4　太陽電池への応用

４．ALE技術の基礎
　4.1　ALEの歴史
　4.2　ALEの原理

５．ALE技術の応用事例
　5.1　シリコン、窒化ガリウム等半導体材料への応用
　5.2　シリコン酸化膜、窒化膜等絶縁膜への応用
　5.3　Co等金属膜への応用

６．ALD/ALE技術の課題と展望

　　□質疑応答□

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セミナーセミナー番号:A241118(ALD/ALE)

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