A221020: 半導体配線材料・技術の最新動向 | 技術セミナーの開催・書籍出版　サイエンス＆テクノロジー＜Ｓ＆Ｔ＞

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セミナーセミナー番号:A221020(配線材料技術)

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半導体配線材料・技術の最新動向

2nmへのCu配線延命状況、代替配線動向
BPR・BSPDNの研究加速、Subtractive Ruの技術課題と対応策
最先端ノードの実際、今後の展望・課題
今後数年必要とされる材料、新規技術とその実現可能性.etc

受講可能な形式：【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ

昨年大好評だった、先端配線技術セミナーの待望のアップデート版が登場！
現在、2nm配線技術開発に従事する、IBM Research 野上氏による講演です

2nmへの微細化で遭遇するRC performance、歩留まり、信頼性のジレンマ、
Cu リフロー技術、FAV (Fully Aligned Via)技術など、昨年概要をベースにここ１年の最新技術・進展を追加・更新してお届け

昨年のセミナー概要はここをクリック

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過去受講した方からこんな声をいただいております

日時	2022年10月20日（木） 13:00～16:30
会場	オンライン配信	会場地図
受講料(税込) 各種割引特典	44,000円 ( E-Mail案内登録価格 41,800円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について定価：本体40,000円＋税4,000円 E-Mail案内登録価格：本体38,000円＋税3,800円
受講料(税込) 各種割引特典	E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件 1名分無料適用条件 ※2名様ともE-Mail案内登録が必須です。　2名様以降の受講者は、申込み前にE-Mail案内登録をお済ませください。 ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。 ※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。 ※請求書（PDFデータ）は、代表者にE-mailで送信いたします。 ※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。) ※他の割引は併用できません。 2名で44,000円 (2名ともE-Mail案内登録必須／１名あたり定価半額の22,000円) 【テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】　 1名申込みの場合：35,200円 ( E-Mail案内登録価格 33,440円 ) 　　　定価：本体32,000円＋税3,200円　　　E-Mail案内登録価格：本体30,400円＋税3,040円　※１名様でLive配信/WEBセミナーを受講する場合、上記特別価格になります。　※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。　※他の割引は併用できません。
配布資料	PDFテキスト(印刷可・編集不可)
オンライン配信	ZoomによるLive配信　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）セミナー視聴・資料ダウンロードはマイページからお申し込み後、マイページの「セミナー資料ダウンロード／映像視聴ページ」にお申込み済みのセミナー一覧が表示されますので、開催日時になりましたら、該当セミナーをクリックしてご利用ください。アーカイブ(見逃し)配信について視聴期間：終了翌営業日から7日間［10/21～10/27］を予定 ※アーカイブは原則として編集は行いません ※視聴準備が整い次第、担当から視聴開始のメールご連絡をいたします。 (開催終了後にマイページでご案内するZoomの録画視聴用リンクからご視聴いただきます）
備考	※資料付 ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

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得られる知識
これからの数年間で必要とされる材料、新規技術について、各々の実現可能性の大小とともに把握できる。

受講対象
材料メーカー、装置メーカー、先端配線技術分野に新規参入される方々。
日本の超微細化半導体産業復興に興味のある方々。

セミナー講師

IBM Research / IBM Corp.
Principal Research Staff Member　博士 (工学)　野上毅　氏
【専門】LSI先端配線技術

　2006年からIBM Research, Albanyにて先端配線技術開発に従事。1994年から1997年、スタンフォード大学(客員研究員)でのCu配線技術の研究以来、Cu配線技術の研究開発に従事。(株)東芝、川崎製鉄(株)、AMD (Advanced Micro Devices) Inc.、ソニー(株)を経て現職。東京大学工学部、学士(1982), 修士(1984), 博士(1994)。現在、2nm配線技術開発に従事。

セミナー趣旨

　昨年、2021年10月のこのテーマでのセミナーの再講演依頼に応え、今回は、昨年のセミナーの骨子を維持しながら、この一年間に進んだ技術研究開発と産業界の動向についてupdateする。昨年述べた通り、Cu配線は3nm世代まで延命されつつある。一方で2nmへのCu配線の延命を試みる中、その技術開発が困難を極め、Cu配線微細化の限界が益々近づきつつある。また、BPR(Buried Power Rail), BSPDN(Back Side Power Distribution Network)適用の必要性が高まり、研究開発が加速している。また、Cu配線に代わるSubtractive Ru配線開発に関わる個々の技術的課題が鮮明になりつつあり、対応策が研究開発されつつある。今回は、それらの最新の技術進捗を2021年の前回の骨子に加える。（※昨年のセミナーの概要はページ上部のリンクを参照）

セミナー講演内容

１．Cuデュアルダマシン技術の微細化に伴う問題点
　1.1 Cuデュアルダマシン技術とは
　1.2 微細化に伴う問題点
　1.3 2nmへの微細化で遭遇するRC performance, 歩留まり、信頼性のジレンマ (update)

２．最近量産に導入されているCu配線延命を可能にしている新技術
　2.1 改良型ALD (atomic layer deposition) バリアメタル技術 (update)
　2.2 トレンチとビアの形状(アスペクト比)の最適化
　2.3 RSB (Reverse Selective Barrier)によるビア抵抗の低減 (update)
　2.4 Low-k (低誘電率絶縁膜)のPID (plasma induced damage)耐性向上
　2.5 シングルダマシンCu配線の導入 (update)

３．Cu配線を更に延命させる為の開発中の技術
　3.1 Cu リフロー技術 (update)
　3.2 FAV (Fully Aligned Via)技術 (update)
　3.3 レーザーアニールによるCu配線抵抗低減技術 (update)
　3.4 グラフェンキャップによるCu配線抵抗低減技術 (update)
　3.5 ハイブリッドCu配線技術による微細化促進 (update)
　3.6酸素を含まない低誘電率絶縁膜技術
　3.7 Mnによりアシストされた超薄型バリアメタル (update)
　3.8 揮発性材料を用いたエアーギャップ形成 (update)

４．シリコン基板に電源線を埋め込む技術
　4.1 BPR (buried power rail) (update)
　4.2 BSPDN (backside power distribution network) (update)

５．代替配線技術
　5.1 Coデュアルダマシン技術
　5.2 Subtractive RIE Ru, Mo, W配線 (update)
　5.3 金属間化合物配線 (update)

６．まとめ

　　□質疑応答□

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