半導体配線材料・技術の
基礎から最新動向まで
2nmへのCu配線延命技術、代替配線動向、Subtractive Ru技術
BSPDN適用の必要性の高まり、1.4nm以降を目指す技術、2D材料
最先端ノードの実際、今後の展望・課題
今後数年必要とされる材料、新規技術とその実現可能性 etc.
受講可能な形式:【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ
例年好評の最先端配線技術セミナーの待望のアップデート版が登場!
現在、2nm/1.4nm配線技術開発に従事する、IBM Research 野上氏による講演です。
配線プロセスの基礎やこれまでの技術進展の経緯に、ここ2年の最新技術や進展を追加更新してお届けします!
現在、2nm/1.4nm配線技術開発に従事する、IBM Research 野上氏による講演です。
配線プロセスの基礎やこれまでの技術進展の経緯に、ここ2年の最新技術や進展を追加更新してお届けします!
日時 | 2024年10月31日(木) 13:00~16:30 |
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会場 | オンライン配信 |
会場地図 | ||
受講料(税込)
各種割引特典
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49,500円
( E-Mail案内登録価格 46,970円 )
S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価:本体45,000円+税4,500円
E-Mail案内登録価格:本体42,700円+税4,270円
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E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
1名分無料適用条件
2名で49,500円 (2名ともE-Mail案内登録必須/1名あたり定価半額の24,750円)
1名申込みの場合:受講料37,400円( E-Mail案内登録価格 35,640円) 定価:本体34,000円+税3,400円 E-Mail案内登録価格:本体32,400円+税3,240円 ※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 ※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。 ※他の割引は併用できません。
3名以上のお申込みで1名あたり:受講料 22,000円 本体20,000円+税2,000円(1名あたり) ※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。 ※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。 ※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。
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配布資料 | PDFテキスト(印刷可・編集不可) ※開催までに弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。 ※開催直前からのダウンロード開始を予定しております。 | |||
オンライン配信 | ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください) セミナー視聴・資料ダウンロードはマイページから お申し込み後、マイページの「セミナー資料ダウンロード/映像視聴ページ」に お申込み済みのセミナー一覧が表示されますので、開催日時になりましたら、 該当セミナーをクリックしてご利用ください。 アーカイブ(見逃し)配信について 視聴期間:11/1~11/8の8日間 ※アーカイブは原則として編集は行いません ※視聴準備が整い次第、担当から視聴開始のメールご連絡をいたします。 (開催終了後にマイページでご案内するZoomの録画視聴用リンクからご視聴いただきます) | |||
備考 | ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 |
得られる知識 これからの数年間で必要とされる材料、新規技術について、各々の実現可能性の大小とともに把握できる。 |
受講対象 材料メーカー、装置メーカー、先端配線技術分野に新規参入される方々。日本の超微細化半導体産業復興に興味のある方々。 |
セミナー講師
Principal Research Staff Member 博士 (工学) 野上 毅 氏
【専門】LSI先端配線技術
2006年からIBM Research, Albanyにて先端配線技術開発に従事。1994年から1997年、スタンフォード大学(客員研究員)でのCu配線技術の研究以来、Cu配線技術の研究開発に従事。(株)東芝、川崎製鉄(株)、AMD (Advanced Micro Devices) Inc.、ソニー(株)を経て現職。東京大学工学部、学士(1982), 修士(1984), 博士(1994)。現在、2nm/1.4nm配線技術開発に従事。
セミナー趣旨
2021年、2022年と続けたこの配線技術に関するテーマでのセミナーであるが、昨年2023年は講師の業務多忙により再講演依頼に応えられなかったが、今回は、これまでのセミナーの骨子を維持しながら、この二年間に進んだ技術研究開発と産業界の動向についてupdateする。一昨年述べた通りに、Cu配線は3nm世代まで延命された。現在は、日本の半導体産業復興を最先端2nmで実現すべく、政府主導の最大限の努力が鋭意進行中である (半導体装置産業、材料供給の分野では、今現在、既に日本は最先端の産業界にとって極めて重要な不可欠な存在である)。2nmに於いても、Cu配線の延命される見通しである。その技術開発が困難を極めている。取り分け、微細配線パターニングに加えて、Cuの埋め込み、ビア接続、配線/ビア抵抗、EM (electromigration)信頼性など達成のため、新たな技術の導入が産業界で試みられている。また、BSPDN(Back Side Power Distribution Network)適用の必要性が高まり、その技術も改良と革新が進行中である。Cu配線に代わるSubtractive Ru配線開発、更にその先を見据えた2D材料の模索が進行中である。今回は、2022年セミナーの骨子を踏襲しながら、配線技術の基礎から最新の技術進捗に至るまでについて述べる。(※昨年、一昨年のセミナーの概要はページ上部のリンクを参照)
セミナー講演内容
1.導入
1.1 配線に起因して増大する問題 (RC、EM 、パターニング)
1.2 配線プロセスの基礎
2. 配線メタル技術のこれまでの進化
2.1 これまで導入されてきたCu配線延命技術
2.2 最近、更に導入されている新規技術
3.Cu配線技術延命の限界の次の代替配線技術候補
3.1 Subtractive Ru配線技術
4.Cu配線を更に2nmへと延命するための新規技術
4.1 RuCo Liner
4.2 Single Damascene Cu with W (Mo) via
4.3 BSPDN (Backside Power Distribution Network)
5.1.4nm以降を目指した探索的技術
5.1 TMD, Topological Semimetal, Intermetallic Compound, etc.
6. まとめ
□質疑応答□
1.1 配線に起因して増大する問題 (RC、EM 、パターニング)
1.2 配線プロセスの基礎
2. 配線メタル技術のこれまでの進化
2.1 これまで導入されてきたCu配線延命技術
2.2 最近、更に導入されている新規技術
3.Cu配線技術延命の限界の次の代替配線技術候補
3.1 Subtractive Ru配線技術
4.Cu配線を更に2nmへと延命するための新規技術
4.1 RuCo Liner
4.2 Single Damascene Cu with W (Mo) via
4.3 BSPDN (Backside Power Distribution Network)
5.1.4nm以降を目指した探索的技術
5.1 TMD, Topological Semimetal, Intermetallic Compound, etc.
6. まとめ
□質疑応答□