はじめに

 Chapter１ FPD（Flat Panel Display）技術動向 

　はじめに
　1. Society 5.0と第5世代移動通信システム（5G）
　2. 30V型4KフレキシブルOLEDディスプレイ開発
　3. 高精細VR用TFT-LCD
　4. Human Machine Interface
　5. グリーンプロセス
　おわりに

 Chapter２ 究極のディスプレイを目指すTFT-LCD 

　1. IGZO-TFT
　2. 大型8Kディスプレイ用光配向技術による新規液晶ディスプレイモード“UV2 AⅡ” 
　　　2.1 はじめに
　　　2.2 UV2 A（Ultra-Violet induced multi-domain Vertical Alignment）
　　　　　2.2.1　UV2 Aとは
　　　　　2.2.2　UV2 A製造プロセス
　　　2.3 UV2 AⅡ製造プロセス
　　　2.4 ディスプレイ特性
　　　　　2.4.1　透過率
　　　　　2.4.2　応答時間
　　　　　2.4.3　視野角
　　　2.5 結論
　　　2.6 著者見解
　3. BT.2020仕様を満たす17型レーザーバックライト8K液晶ディスプレイ
　　　3.1 はじめに
　　　3.2 レーザーバックライト
　　　3.3 120 Hz駆動用SLC-IPS-LCD
　　　3.4 著者見解
　4. 集積化インセル電磁共鳴センサーと静電容量式タッチセンサー
　　　4.1 はじめに
　　　4.2 インセルEMR技術の原理と背景
　　　　　4.2.1 インセルEMRペンセンシング
　　　　　4.2.2 従来のEMRセンサーとインセルEMRセンサーの構造比較
　　　4.3 インセルEMRを用いた9.7インチ反射型LCDのプロトタイプ
　　　4.4 結果
　　　　　4.4.1 ディスプレイ画像に関連するSNR
　　　　　4.4.2 LCD表面の手のひらでのSNR評価
　　　4.5 結論
　　　4.6 著者所見
　5. タッチセンサーと触覚センサーを集積化した8.4型TFT-LCD
　　　5.1 はじめに
　　　5.2 システム構成
　　　5.3 触覚強度安定化のための駆動スキーム
　　　5.4 プロトタイプのデモ
　　　5.5 結論
　　　5.6 著者所見
　6. ギラツキとその評価
　　　6.1 はじめに
　　　6.2 ギラツキとは
　　　6.3 ギラツキ評価システム
　　　　　6.3.1 ギラツキ測定法
　　　　　6.3.2 ギラツキの定義
　　　　　6.3.3 測定結果
　　　6.4 解像度の測定評価法
　　　6.5 反射分布の測定評価法
　　　6.6 透過分布の測定評価法
　　　6.7 まとめ
　　　6.8 著者所見

 Chapter３ 日進月歩のAMOLED 

　1. OLEDの動向と材料開発
　　　1.1 はじめに
　　　1.2 OLEDデバイス構造と材料
　　　　　1.2.1 OLED発光材料
　　　　　1.2.2 新発光方式向け蛍光発光材料
　　　1.3 絶縁層・平坦化層用感光性ポリイミド
　　　1.4 フレキシブル基板ポリイミド
　　　1.5 有機波長変換材料
　　　1.6 OLED分析技術（東レリサーチセンター） 
　　　　　1.6.1 分析ロードマップ
　　　　　1.6.2 OLED分析例
　　　1.7 おわりに
　　　1.8 著者所見
　2. i3 -opera（アイ・キューブオペラ）事業紹介 
　　　2.1 はじめに
　　　2.2 i3 -operaの事業内容
　　　　　2.2.1 OLED素子製作と評価プラットフォーム
　　　　　2.2.2 企業様の目的に応じた共同研究・共同開発
　　　　　2.2.3 材料開発・プロセス開発におけるコンサルティング
　　　2.3 i3 -operaのコア技術
　　　　　2.3.1 OLED素子製作技術
　　　　　2.3.2 量子ドット（QD）材料評価
　　　　　2.3.3 材料評価技術
　　　　　2.3.4 IHを利用した新規蒸着装置の開発
　　　2.4 おわりに
　　　2.5 著者所見
　3. 山形大学有機エレクトロニクスイノベ―ションセンター（INOEL） 
　　　3.1 はじめに
　　　3.2 フレキシブル基盤技術研究グループ
　　　3.3 高機能ステンレス箔を用いたフレキシブルOLED
　　　3.4 ロールtoロール（R2R）法による電極付きバリアフィルム作製
　　　3.5 印刷法によるOLEDパッケージ（IonT）
　　　3.6 3次元PCBの製造プロセスおよび用途開発（F2E）
　　　3.7 印刷型フレキシブル有機薄膜太陽電池
　　　3.8 OLED用無機バリア層形成技術
　　　3.9 著者所見
　４. インピーダンス分光法による有機半導体，有機デバイスの電子物性評価
　　　4.1 はじめに
　　　4.2 インピーダンス分光
　　　　　4.2.1 インピーダンス分光とは
　　　　　4.2.2 ISの測定
　　　　　4.2.3 ISの解析
　　　　　4.2.4 キャリア移動度測定法
　　　4.3 二重注入デバイス（OLED） 
　　　　　4.3.1 低分子型と高分子型
　　　　　4.3.2 PLEDの作製と特性
　　　　　4.3.3 負のキャパシタンス
　　　　　4.3.4 デバイス特性とISの相関性
　　　4.4 おわりに
　　　4.5 著者所見
　5. フラスク社 
　　　5.1 はじめに
　　　5.2 フラスクの事業モデル
　　　5.3 有機ELの特徴と製品リスト
　　　5.4 有機ELの応用例
　　　5.5 有機ELの歴史と山形大学の取り組み
　　　5.6 まとめ
　　　5.7 著者所見
　6. ブイ・テクノロジー社 
　　　6.1 はじめに
　　　6.2 縦型蒸着装置
　　　6.3 ファインハイブリッドマスク（FHM）
　　　6.4 BLDA（Blue Laser Diode Annealing）
　　　6.5 まとめ

 Chapter４ レーザーディスプレイと周辺技術 

　1. レーザーディスプレイ・照明の課題と展望
　　　1.1 はじめに
　　　1.2 半導体レーザーダイオードとは
　　　1.3  LDのディスプレイおよび照明への応用
　　　1.4 3原色レーザー光源
　　　1.5 レーザーヘッドランプ
　　　1.6 IoTステーション
　　　　　1.6.1 NEDO「エネルギー・環境新技術先導プログラム/更なる省エネ照明社会の
　　　　　　　　　　　　実現に資するIoTステーション」
　　　　　1.6.2 IoTステーションの基本原理検証
　　　　　1.6.3 高速光走査デバイスの実現
　　　　　1.6.4 高効率多色可視光半導体レーザーの方向付け
　　　1.7 LDの機能要素実証
　　　1.8 まとめ
　　　1.9 著者所見
　2. オキサイド社のレーザー用蛍光体と関連装置
　　　2.1 はじめに
　　　2.2 EPOCH
　　　　　2.2.1 EPOCHの特徴
　　　2.3 ファイバー出力レーザー励起光源装置
　　　2.4 蛍光体評価装置
　　　2.5 まとめ
　　　2.6 著者所見
　3. カラースペックル測定装置
　　　3.1 はじめに
　　　3.2 スペックルノイズとは
　　　3.3 スペックル測定装置
　　　　　3.3.1 Dr.SPECKLE Model：SM01VS09
　　　　　3.3.2 Dr.SPECKLE Model：SM01VS11
　　　　　3.3.3 Dr.SPECKLE Series Optional Software「M-Speckle」
　　　3.4 画質評価装置
　　　3.5 まとめ
　　　3.6 著者所見

 Chapter５ プリンテッドデバイス と周辺技術 

　1. グリーンプロセスとは
　　　1.1 電子デバイス製造の限界 
　　　1.2 現行生産方式の課題とグリーンプロセス
　　　　　1.2.1 投資生産性とは
　　　　　1.2.2 グリーンプロセスとは
　　　1.3 ダイレクト・デジタル・ファブリケーション
　　　1.4 グリーンプロセス技術を実現するための装置・部材メーカーの役割
　　　1.5 グリーンプロセスを用いたデバイスが目指す市場
　　　1.6 装置・部材メーカーの役割
　　　　　1.6.1 装置メーカーの役割
　　　　　1.6.2 部材メーカーの役割
　２. プリンテッドデバイス技術
　　　2.1 はじめに
　　　2.2 山形大学有機エレクトロニクス研究センター
　　　　　2.2.1 プリンテッドデバイス技術部門
　　　2.3 印刷材料と印刷技術
　　　　　2.3.1 印刷材料
　　　　　2.3.2 印刷技術
　　　　　　・凸版反転印刷
　　　　　　・平板型反転オフセット印刷
　　　　　　・R2Rフレキソ印刷
　　　　　　・大型R2Rインクジェット印刷装置
　　　　　　・3D印刷
　　　2.4 センサ
　　　　　2.4.1 有機TFT型バイオセンサ
　　　　　2.4.2 温度センサ
　　　　　2.4.3 歪センサ
　　　　　2.4.4 強誘電高分子応用
　　　2.５ 有機センサと電子回路の一体化 
　　　　　2.5.1 背景と目的
　　　　　2.5.2 研究内容
　　　　　2.5.3 マルチセンシングシステム
　　　　　2.5.4 フレキシブルハイブリッドエレクトロニクス(FHE)
　　　2.6 センサの社会実証と社会実装
　　　　　2.6.1 フューチャーインク
　　　　　2.6.2 圧電センサシート
　3. 高解像度R2Rプロセス技術と応用
　　　3.1 はじめに
　　　3.2 高解像度R2Rプロセス技術
　　　3.3 メタルメッシュ型透明導電膜（TCF: Transparent Conductive Films）
　　　3.4 反射型偏光フィルム　WGFTM
　　　　　3.4.1 WGFT™とは
　　　　　3.4.2 HC & HT gradeの光学性能
　　　　　3.4.3 信頼性試験
　　　　　3.4.4 特徴
　　　　　3.4.5 用途
　　　3.5 おわりに
　４. 東レ社のナノテクノロジー
　　　4.1 はじめに
　　　4.2 塗布型CNTを用いたRFID
　　　　　4.2.1 RFID(Radio Frequency Identifier)
　　　　　4.2.2 カーボンナノチューブ（CNT）TFTによるCMOS回路
　　　　　4.2.3 目標性能
　　　4.3 伸縮性フィルム
　　　　　4.3.1 柔軟性と復元性
　　　　　4.3.2 特徴
　　　4.4 PICASUS® VT
　　　　　4.4.1 PICASUS® VTの特徴
　　　　　4.4.2 用途
　　　4.5 PICASUS® UV
　　　　　4.5.1 PICASUS® UVの特徴
　　　4.6 透明アラミドフィルム
　　　　　4.6.1 特徴
　　　4.7 RAYBRID®
　　　　　4.7.1 RAYBRID®
　　　　　4.7.2 特徴
　　　4.8 おわりに 
　５．プリンテッドデバイス用エポキシフィルム
　　　5.1 はじめに
　　　5.2 エポキシ樹脂フィルムの可能性
　　　　　5.2.1 高分子エポキシフィルム
　　　　　5.2.2 伸縮性エポキシフィルム
　　　5.3 結論

 Chapter６ 酸化物半導体のLSIへの応用 

　1. はじめに
　2. 酸化物半導体の特徴 
　3. 酸化物半導体LSI
　4. DOSRAM極低消費電力メモリ
　5. NoffCPU® (Normally- Off Central Processing Unit) 
　6. NOSRAM® (Nonvolatile Oxide Semiconductor Random Access Memory) 
　7. おわりに

おわりに

※現在編集中のため、目次は一部変更となる場合がございます。予めご了承ください。