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【オンデマンド配信】
<半導体デバイス向けプラズマ装置による高品質成膜へ>
プラズマCVD(化学気相堆積)装置による
高品質薄膜の成膜技術、および量産化対応

■装置メーカーの立場から、プラズマCVD装置の技術/課題と対策を解説■

視聴期間:申込日から10営業日後まで(期間中は何度でも視聴可)
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク 

★ 30年以上の実績・経験がある装置メーカーから、実務レベルで解説いたします!
日時 2024年10月30日(水)  23:59まで申込み受付中/【収録日:2024年5月22日(水)】※映像時間:2時間42分
受講料(税込)
各種割引特典
49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,970円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価:本体45,000円+税4,500円
E-Mail案内登録価格:本体42,700円+税4,270円
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
2名で49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須​/1名あたり定価半額24,750円)
※半導体産業応援キャンペーン【3名以上のお申込みで1名あたり22,000円】
 本体20,000円+税2,000円(1名あたり)
※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。
※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※当社Webサイトからの直接申込み限定です。他の割引は併用できません。
※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】
1名申込みの場合:受講料( 定価:37,400円/E-mail案内登録価格 35,640円 )
 定価:本体34,000円+税3,400円
 E-mail案内登録価格:本体32,400円+税3,240円
1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※他の割引は併用できません。
 
■■■受講人数ごとのお申込み例■■■
1名で受講の場合:35,640円(税込) ※E-mail案内登録の場合
2名で受講の場合:49,500円(税込) ※1名あたり24,750円(税込)
3名で受講の場合:66,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり22,000円(税込)
4名で受講の場合:88,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり22,000円(税込)
5名で受講の場合:110,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり22,000円(税込)
配布資料PDFテキスト(印刷可):マイページよりダウンロード
講師メールアドレスの掲載:有
オンライン配信オンデマンド配信 ►受講方法・視聴環境確認 (申込み前に必ずご確認ください)
備考※オンライン配信セミナーの録音・撮影、複製は固くお断りいたします。
※講師の所属などは、収録当時のものをご案内しております

セミナー講師

SPPテクノロジーズ(株)
製造部 次長 兼 生産管理グループ長 兼 マーケティング部 マネジャー 金尾 寛人 氏

【経歴・研究内容・専門・活動】
1989年3月 名古屋工業大学 工学部 第一部 電気情報工学科を卒業.
1989年4月 住友金属工業(株)に入社.
Si基板上GaAs膜のヘテロエピタキシー成膜技術の研究開発(1年)や半導体デバイス向けECRプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(10年)
2000年4月 住友精密工業(株)に入社(派遣、2002年3月転籍、2011年12月にSPPテクノロジーズに出向)
MEMSや光デバイス向けプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(3年半)
装置全般の技術営業、マーケティング(現在)
【WebSite】
https://www.spp-technologies.co.jp/

セミナー趣旨

 当社は、1989年から「研究開発用半導体一貫製造システム」の開発を開始して、装置メーカーとして、30年以上の実績・経験があります。この講演では、プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策を中心にご紹介いたします。

セミナー講演内容

<得られる知識・技術>
プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策について知ることができます。

<プログラム>
1.プラズマCVD装置の基本構造
 1.1 プラズマCVD装置の構成
 1.2 反応チャンバーの基本構成

2.プラズマCVD装置の用途
 2.1 適用アプリケーション

3.プラズマCVD装置のプロセス性能
 3.1 SiH4系SiO2膜
 3.2 SiH4系SiN膜
 3.3 SiH4系SiON膜
 3.4 SiH4系a-Si膜
 3.5 SiH4系SiC膜
 3.6 TEOS系SiO2膜
 3.7 液体ソース系SiN膜

4.開発用装置と量産用装置
 4.1 プラットフォーム

5.プラズマCVD装置の課題と対策
 5.1 高レート化
 5.2 プロセスの再現性
 5.3 低パーティクル
 5.4 チャンバークリーニング
 5.5 ウェーハ温度の低温化
 5.6 ウェーハ大口径化  など


■Q&A■
 このセミナーに関する質問に限り、講師とメールにて個別Q&Aをすることができます。
 具体的には、セミナー資料に講師のメールアドレスを掲載していますので、セミナーに関する質問がございましたら
 直接メールでご質問ください。
 (ご質問の内容や時期によっては、ご回答できない場合がございますのでご了承下さい。)