B251222:高感度化フォトレジスト材料の合成・設計・開発技術 | 技術セミナーの開催・書籍出版　サイエンス＆テクノロジー＜Ｓ＆Ｔ＞

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セミナーセミナー番号:B251222(フォトレジスト)

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テレワーク応援キャンペーン【オンライン配信セミナー1名受講限定】半導体産業応援キャンペーン対象セミナー【3名以上での申込みがお得】

高感度化フォトレジスト材料の合成・設計・開発技術

～分子設計・合成方法と最新型EUV用レジスト材料の研究動向～

受講可能な形式：【ライブ配信】or【アーカイブ配信】のみ
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク

EUV用レジスト材料など更なる高感度化が求められる新規レジスト材料の開発の為に
メタルレジスト、化学増幅型レジスト、非化学増幅型レジスト材料、、、、
EUV露光システムの能力を十分に引き出せるレジスト材料の合成・設計・開発
高分子・低分子化合物のレジスト材料に関する基礎や評価方法を解説
露光システムに対応したレジスト材料の分子設計指針、最新のEUV用レジスト材料の開発動向、次世代の分子設計指針

日時

【ライブ配信】 2025年12月22日（月） 10:30～16:30

【アーカイブ配信】 2026年1月14日（水）まで受付（視聴期間：1/14～1/29）

受講料(税込)

各種割引特典

55,000円 ( E-Mail案内登録価格 52,250円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について

定価：本体50,000円＋税5,000円

E-Mail案内登録価格：本体47,500円＋税4,750円

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1名申込みの場合：受講料44,000円( E-Mail案内登録価格 42,020円)　
　定価：本体40,000円＋税4,000円
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※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
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【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク

3名以上のお申込みで1名あたり：受講料 24,200円
　本体22,000円＋税2,200円(1名あたり)
※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。
※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。

■■■受講人数ごとのお申込み例■■■

1名で受講の場合：42,020円(税込)　※テレワーク応援キャンペーン/E-mail案内登録の場合
2名で受講の場合：55,000円(税込)　※2名同時申込みで1名分無料：1名あたり27,500円(税込)
3名で受講の場合：72,600円(税込)　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり24,200円(税込)
4名で受講の場合：96,800円(税込)　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり24,200円(税込)
5名で受講の場合：121,000円(税込)　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり24,200円(税込)

配布資料

製本資料（開催日または視聴開始日の4、5日前に発送予定）
※ライブ配信受講を開催まで4営業日～前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が、
　開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。

オンライン配信

ライブ配信（Zoom）　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
アーカイブ配信　►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）

備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

得られる知識

フォトレジストシステム、レジスト材料の分子設計、レジスト材料の高感度化

対象

フォトレジスト関係の開発研究者

キーワード：フォトレジスト,高感度化レジスト,化学増幅型レジスト,非化学増幅型レジスト,メタルレジスト,KrF,ArF,EUV

セミナーリクエスト

セミナー講師

関西大学　化学生命工学部　化学・物質工学科　教授　博士（工学）　工藤宏人　氏
【講師紹介】

セミナー趣旨

　フォトレジスト材料は、ポジ型、ネガ型、化学増幅型、非化学増幅型などとして分類され、i線、G線、KrF、ArF、EB、およびEUV露光用レジスト材料として活用されている。高感度化をすること、すなわち、露光量を少なくさせることは、短時間でパタンニング処理を可能にし、生産性を上げることを可能にする。しかし、それだけではなく、レジストパタンの解像性を上昇させ、レジストパタンのラフネスの改善にも大きく貢献することになる。次世代レジストシステムとして、EUV露光システムが実用化段階に入っているが、最も研究開発が必要とされているのは、EUV用のレジスト材料の開発である。現在のところ、EUV露光システムの能力を十分に引き出せるとされるレジスト材料は未だない。新しいレジスト材料の開発は、様々なレジスト特性を評価検討する必要があるが、まずは少ない露光量でパタンニングが可能であること、すなわち高感度であることが最優先である。実際、EUV用レジスト材料においても、より高感度なレジスト材料の開発が急務とされている。
　本セミナーにおいて、露光システムに対応したレジスト材料の分子設計指針から、最新のEUV用レジスト材料の開発動向から、次世代の分子設計指針まで解説する。

セミナー講演内容

1．レジスト材料
　1.1 原理
　1.2 レジスト材料の例
　1.3化学増幅型レジスト

2．ポジ型レジスト材料
　2.1 材料的な特性
　2.2 主な応用・用途

3．ネガ型レジスト材料
　3.1 材料的な特性
　3.2 主な応用・用途

4．高分子レジスト材料と低分子レジスト
　4.1 材料的な特性
　4.2 主な応用・用途

5．レジスト材料の評価方法と開発方法の実例
　5.1 レジスト材料の評価項目，評価手法について
　5.2 レジスト材料の評価方法と開発例

6．最新型レジスト材料
　6.1 メタルレジスト
　6.2 EB,EUV用レジスト材料

質疑応答

セミナーリクエスト

セミナーセミナー番号:B251222(フォトレジスト)

高感度化フォトレジスト材料の合成・設計・開発技術

1名分無料適用条件

セミナー講師

セミナー趣旨

セミナー講演内容

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