▼本書で触れる内容のキーワード▼
　　・開発過熱の背景は、サムスン・LG・アップル・台湾・中国の覇権争い？
　　・LEDとμ-LEDの違い、他方式ディスプレイとの違いからその基礎を理解
　　・μ-LEDおよびμ-LEDディスプレイの量産化の課題はどこに？【4つの課題を解説】
　　　　(1)超小型化（マイクロ化）　　　(2)独立駆動化（絶縁）
　　　　(3)1面発光＝側面反射（遮光） 　(4)電気配線（ミクロ回路）形成
　　・照明・バックライト用LEDの小型パッケージ化技術（CSP-LED）
　　　 光通信用半導体技術（RCLED、VCSEL、LD）の転用が課題解決の一つのアプローチに？
　　・特許情報から探る各社・研究機関の動き
　　・ディスプレイだけじゃない？μ-LED応用で高付加価値化が見込まれる用途とは
　　・「新規技術は、既存技術の実力および革新力を見くびってはいけない―」
　　　 過去のディスプレイ技術の変遷に鑑みてμ-LEDディスプレイの今後を考える。　　　　　などなど

はじめに

 Chapter１ μ-LEDの基本解説 

　１．μ-LEDとは

　２．μ-LED開発過熱の背景

　３．μ-LEDを用いたディスプレイの特徴
　　　3.1 仮想μ-LEDディスプレイの構造
　　　3.2 LED自発光型ディスプレイとの違い
　　　3.3 LCDとの違い
　　　3.4 OLEDディスプレイとの違い
　　　3.5 QLEDディスプレイとの違い

 Chapter２ μ-LEDおよびμ-LEDディスプレイ製造技術と量産化の課題 

　１．LEDおよび集積回路の製法
　　　1.1 LEDの製法
　　　1.2 集積回路（IC）の製法

　２．μ-ＬＥＤ製造技術の課題と実状
　　　2.1 LED の小型化技術：CSP-LED/MJT LED
　　　2.2 μ’-LED（疑似μ -LED）という実状
　　　2.3 真のμ -LED を製造するための課題
　　　　　2.3.1 ミクロ集積化技術の課題
　　　　　　　　（1）ナノレーザ切断によるミクロ集積化
　　　　　　　　（2）フォトリソグラフィ法（Photolithography）によるミクロ集積化
　　　　　2.3.2 ミクロ回路形成
　　　2.4 1面発光型半導体の応用による側面反射・遮光加工の不要化
　　　　　2.4.1 共振器型発光ダイオード（RCLED）
　　　　　2.4.2 垂直面発光レーザ（VCSEL）
　　　　　2.4.3 レーザダイオード（LD）

　３．μ-LEDディスプレイ製造技術の開発動向
　　　3.1 一般情報から概要を読み解く
　　　3.2 特許情報から技術動向を読み解く
　　　　　3.2.1 ソニー(株)
　　　　　3.2.2 アップル社
　　　　　3.2.3 ルーメンス社
　　　　　3.2.4 バイケル・インク社
　　　　　3.2.5 Ostendo Technologies社
　　　　　3.2.6 Micro Mesa Technology 社
　　　　　3.2.7 Oculus 社
　　　　　3.2.8 X-Celeprint 社
　　　　　3.2.9 VerLASE 社
　　　3.3 μ -LED ディスプレイ実用化への課題（過去の自発光型ディスプレイ開発の歴史に顧みて）
　　　　　3.3.1 表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（SED）
　　　　　3.3.2 プラズマディスプレイパネル（PDP）

　４．ナノLED（n-LED）
　　　4.1 ナノワイヤーLED
　　　4.2 GaNナノコラム

 Chapter3 ディスプレイ分野以外へのμ-LED応用の展望 

　１．光伝送用途

　２．光標識用途

　３．医療用途

　４．その他

 Chapter４ 汎用の発光半導体およびディスプレイの情報 

　１．LED
　　　1.1 LEDの開発経緯
　　　1.2 LEDの用途展開
　　　1.3 LED照明
　　　　　1.3.1 高輝度照明
　　　　　1.3.2 低輝度照明
　２．OLED
　　　2.1 OLEDの開発経緯
　　　2.2 OLEDの用途展開
　　　2.3 自発光型ディスプレイ
　　　　　2.3.1 スマートフォン
　　　　　2.3.2 テレビ
　　　2.4 OLEDの差別化
　　　　　2.4.1 OLEDの最重要課題
　　　　　2.4.2 ウエアラブル化
　　　　　2.4.3 フレキシブル化
　３．LCD
　　　3.1 スマートフォン
　　　3.2 大型テレビ
　　　3.3 その他

 Chapter５ 最新情報 

　１．CED2018情報
　　　1.1 マイクロLEDディスプレイ
　　　1.2 QDレーザーディスプレイ
　２．その他

おわりに