講演内容を改定しました(4/14更新)
※直近の国際情勢の急激な変化を踏まえた改定となります。今後も内容改定・更新を行う可能性がございます。
AIブームは崩壊寸前
世界の半導体製造の致命傷となる
「He ショック」の衝撃と羅針盤
世界の半導体製造の致命傷となる
「He ショック」の衝撃と羅針盤
― 先端パッケージ・メモリ・電力が同時に限界に達する「三重苦」―
― He供給途絶で世界の半導体製造が停止する現実的リスク―
― 半導体・電力・He確保の国家戦略なき日本は淘汰される ―
受講可能な形式:【会場受講】or【会場受講(アーカイブ配信付)】or【ライブ配信(アーカイブ配信付)】
激動の世界半導体業界を展望する、湯之上氏による【半導体関連企業の羅針盤シリーズ】講演は、
半導体業界やイノベーションについて、材料・技術・市場の動向や今後などを、
その時のトレンドに合わせた最新情報を交えて半日で俯瞰・展望し、半導体デバイス、装置、部材、設備、材料、セットメーカーなどの
半導体関連企業が生き残る・勝ち残るために必要な情報を提供し、好評を博している。
2026年6月版では、ハイパースケーラーによるAI投資が加速する中で議論されてきた「電力制約」や「CoWoSキャパ不足」に加え、
カタールのLNG施設停止を契機に急浮上した、半導体製造そのものを停止させ得る 「ヘリウム供給途絶」に警鐘を鳴らします。
●講演構成 ※4/14大幅 更新
| 第1部 | AIデータセンター投資の経済的破綻構造 |
| 第2部 | ヘリウム供給途絶 ― AIブームを崩壊させる「見えない臨界点」 |
| 第3部 | フォース・マジュール連鎖と対策・羅針盤 |
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●講演のキーワード ※4/14更新
AIバブル崩壊|GPU投資回収モデル|ハイパースケーラー設備投資|ヘリウム供給途絶|カタールLNG|ドライエッチング熱制御|静電チャック(ESC)|極低温エッチング|3D NAND|HBM(High Bandwidth Memory)|TSV(Through-Silicon Via)|GAA / 2nmプロセス|CoWoS|EUVリソグラフィ|フォース・マジュール連鎖|半導体サプライチェーンリスク|製造不能(Manufacturing Impossibility)|経済安全保障|車載半導体|半導体産業の構造転換
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●受講対象 ※4/14更新
1. 半導体サプライチェーン関連企業
半導体メーカー、製造装置メーカー、装置部品・コンポーネントメーカー、半導体材料メーカー、フォトマスク・ウエハーメーカー、OSAT(後工程受託)企業、EDAベンダー
2. 産業ガス・特殊材料関連企業
産業ガスメーカー(ヘリウム、窒素、アルゴン、特殊ガス等)、ガス供給設備・配管メーカー、ガスリサイクル・回収装置メーカー
3. AIインフラ・データセンター関連企業
クラウド事業者・ハイパースケーラー、AIチップ・GPUベンダー、データセンター設計・建設・運営企業、サーバー・ネットワーク機器メーカー、電力・冷却設備メーカー
4. セットメーカー(半導体搭載製品)
自動車(完成車メーカー、Tier1サプライヤー)、スマートフォン、PC・タブレット、サーバー・ストレージ、デジタル家電、産業機器・ロボット、医療機器、防衛・宇宙関連機器
5. 金融・投資関連
証券アナリスト(半導体・IT・エネルギーセクター)、機関投資家・ファンドマネージャー、ベンチャーキャピタル(AI・半導体スタートアップ投資)、銀行・リース会社(設備投資融資担当)、格付機関
6. エネルギー・資源関連企業
LNG・天然ガス事業者、電力会社・送配電事業者、エネルギートレーディング企業、資源調達・商社
7. 政府・行政機関
内閣官房(経済安全保障担当)、経済産業省(半導体戦略推進室、資源エネルギー庁)、デジタル庁、文部科学省、環境省、防衛省・防衛装備庁、内閣府(科学技術・イノベーション推進事務局)、公正取引委員会
8. 共通:全業種
経営者・経営企画、事業戦略・M&A担当、営業・マーケティング、調達・サプライチェーン管理、技術・研究開発、リスクマネジメント・BCP担当、知財・法務(フォース・マジュール条項担当)
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※半導体関連企業の羅針盤シリーズのご注意点※
本シリーズでは、限られたお時間内でより深刻・重大な情報をお届けできますよう、新たに報じられる情報も加味し、講演内容(場合により主題トピック)を変更する可能性がございます。また、情勢の変化に応じて内容が変更となる場合もございますので、予めご了承ください。なお、ご関心の高いトピックや事前のご要望がございましたら「セミナーリクエスト」からお寄せください。
予定終了時刻は目安です。予定時刻以降も質疑応答を続ける場合がございます。
※開催間近のリクエストや内容によってはご対応できない場合もございます。
※主題に大きな変更がございます場合はお申込みの皆様にご案内します。※軽微変更についてはHPや当日講演スライドを更新してご案内します。
| 日時 | 【会場】 2026年6月11日(木) 13:00~16:30(予定) ※質疑応答により前後する場合があります |
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|---|---|---|
| 【ライブ配信】 2026年6月11日(木) 13:00~16:30(予定) ※質疑応答により前後する場合があります |
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| 会場 | 【会場】 東京・港区芝公園 コンベンションホール・AP浜松町 B1F Hルーム |
会場地図 |
| 【ライブ配信】 オンライン配信 |
会場地図 | |
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受講料(税込)
各種割引特典
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55,000円
S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価:本体50,000円+税5,000円
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| ※上記はライブ配信受講(アーカイブ配信付)の定価受講料です。 各種割引による受講料や会場受講の定価受講料などの詳細は以下をご覧ください。 ●会場受講料:49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,970円 ) 定価:本体45,000円+税4,500円
E-Mail案内登録価格:本体42,700円+税4,270円 ※テレワーク応援キャンペーン対象外 ●会場受講料(アーカイブ配信付):59,400円 ( E-Mail案内登録価格 56,100円 ) 定価:本体54,000円+税5,400円
E-Mail案内登録価格:本体51,000円+税5,100円 ※テレワーク応援キャンペーン対象外
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E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
1名分無料適用条件
●会場受講:2名で49,500円 (2名ともE-Mail案内登録必須/1名あたり定価半額の24,750円) ●会場受講(アーカイブ配信付):2名で59,400円 (2名ともE-Mail案内登録必須/1名あたり定価半額の29,700円) ●ライブ配信受講(アーカイブ配信付):2名で55,000円 (2名ともE-Mail案内登録必須/1名あたり定半価額の27,500円) 「2名同時申込みで1名分無料」適用をご希望で、1名様は会場受講、1名様はライブ配信受講(アーカイブ配信付)をご希望の場合は、会場受講(アーカイブ配信付)にて承ります。お申込み画面の「通信欄」にどちらの方が会場受講、ライブ配信受講されるのかをご記載ください。 |
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| 特典 | アーカイブ配信付の受講形式でお申込み頂いた方へ 【会場受講(アーカイブ配信付)】または【ライブ配信(アーカイブ配信付)】でお申込み頂いた方には、「アーカイブ配信」の閲覧権が付与されます。振り返り学習にぜひ活用ください。当日の受講を欠席し、アーカイブ視聴のみの受講も可能です。 アーカイブ配信期間:2026年6月29日(月)~7月10日(金) ※【会場受講(アーカイブ配信付)】【ライブ配信(アーカイブ配信付)】ともにお申込みは開催日(6月11日)まで | |
| 配布資料 | 会場受講:製本テキスト(会場にて直接お渡しします)+PDFテキスト(印刷可・編集不可) ライブ配信受講:PDFテキスト(印刷可・編集不可) ※PDFテキストは、開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。 | |
| オンライン配信 | Zoomによるライブ配信 ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください) アーカイブ配信 ►受講方法・視聴環境確認(申込み前に必ずご確認ください) ライブ配信とアーカイブ配信とで視聴環境が異なります。(アーカイブ配信はZoomを利用せず視聴いただけます) 申込み前に必ず、ご利用予定の配信の視聴環境の確認をしてください。 | |
| 備考 | ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 | |
| 会場受講について ・定員になり次第受付終了とさせていただきますので、お早めにお申込みください。 ・講義中の会場でのパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。 更新履歴:
主題と副題を更新しました。(4/6 ) 講演内容を改定しました。(趣旨・プログラム・キーワード・受講対象更新 4/14) 半導体関連企業の羅針盤シリーズ 【2026年6月版】AIブームは崩壊寸前 世界の半導体製造の致命傷となる「He ショック」の衝撃と羅針盤 |
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セミナー講師
湯之上 隆 氏
微細加工研究所 所長 工学博士
【専門】半導体技術(特に微細加工技術)、半導体産業論、経営学、イノベーション論
1987年3月、京都大学大学院工学研究科修士課程原子核工学専攻を卒業。
1987年4月〜2002年10月、16年間に渡り、日立製作所・中央研究所、半導体事業部、デバイス開発センター、エルピーダメモリ(出向)、半導体先端テクノロジーズ(出向)にて、半導体の微細加工技術開発に従事。
2000年1月、京都大学より、工学博士。学位論文は、「半導体素子の微細化の課題に関する研究開発」。
2002年10月〜2003年3月、株式会社半導体エネルギー研究所。
2003年4月〜2009年3月、長岡技術科学大学・極限エネルギー密度工学研究センターにて、客員教授として、高密度プラズマを用いた新材料の創生に関する工学研究に従事。
2003年10月〜2008年3月、同志社大学にて、専任フェローとして、技術者の視点から、半導体産業の社会科学研究に従事。
2007年7月〜9月、「半導体の微細化が止まった世界」の研究のため、世界一周調査。
2009年8月、光文社より『日本半導体敗戦』を出版。
2009年年末、株式会社メデイアタブレット 取締役。
2010年夏~現在、微細加工研究所を設立、所長(主たる業務はコンサルタント、調査・研究、講演、原稿執筆)。
2011年8月 界面ナノ電子化学研究会の公認アドバイザー
2012年、日本文芸社より『電機半導体大崩壊の教訓』出版。
2013年、文春新書より、『日本型モノづくりの敗北』出版。
その他、東北大学工学部、京大原子核工学の非常勤講師。
2020年、『東アジアの優位産業』(中央経済社)の半導体の章を分担執筆。
2023年、文春新書より『半導体有事』出版。
以下の連載記事を執筆中(HPまたはFacebookにリンクがあります)
・メルマガ『内側から見た「半導体村」今まで書けなかった業界秘話』(隔週で配信)
・EE Times Japan 『湯之上隆のナノフォーカス』(1ヶ月に1回)
・日本ビジネスプレス『日本半導体・敗戦から復興へ』(1ヶ月に1回)
・ビジネスジャーナル『半導体こぼれ話』(1ヶ月に1回)
・伊勢新聞『半導体漫遊記』(隔週)
(HP) (Facebook) (LinkedIn)
微細加工研究所 所長 工学博士
【専門】半導体技術(特に微細加工技術)、半導体産業論、経営学、イノベーション論
1987年3月、京都大学大学院工学研究科修士課程原子核工学専攻を卒業。
1987年4月〜2002年10月、16年間に渡り、日立製作所・中央研究所、半導体事業部、デバイス開発センター、エルピーダメモリ(出向)、半導体先端テクノロジーズ(出向)にて、半導体の微細加工技術開発に従事。
2000年1月、京都大学より、工学博士。学位論文は、「半導体素子の微細化の課題に関する研究開発」。
2002年10月〜2003年3月、株式会社半導体エネルギー研究所。
2003年4月〜2009年3月、長岡技術科学大学・極限エネルギー密度工学研究センターにて、客員教授として、高密度プラズマを用いた新材料の創生に関する工学研究に従事。
2003年10月〜2008年3月、同志社大学にて、専任フェローとして、技術者の視点から、半導体産業の社会科学研究に従事。
2007年7月〜9月、「半導体の微細化が止まった世界」の研究のため、世界一周調査。
2009年8月、光文社より『日本半導体敗戦』を出版。
2009年年末、株式会社メデイアタブレット 取締役。
2010年夏~現在、微細加工研究所を設立、所長(主たる業務はコンサルタント、調査・研究、講演、原稿執筆)。
2011年8月 界面ナノ電子化学研究会の公認アドバイザー
2012年、日本文芸社より『電機半導体大崩壊の教訓』出版。
2013年、文春新書より、『日本型モノづくりの敗北』出版。
その他、東北大学工学部、京大原子核工学の非常勤講師。
2020年、『東アジアの優位産業』(中央経済社)の半導体の章を分担執筆。
2023年、文春新書より『半導体有事』出版。
以下の連載記事を執筆中(HPまたはFacebookにリンクがあります)
・メルマガ『内側から見た「半導体村」今まで書けなかった業界秘話』(隔週で配信)
・EE Times Japan 『湯之上隆のナノフォーカス』(1ヶ月に1回)
・日本ビジネスプレス『日本半導体・敗戦から復興へ』(1ヶ月に1回)
・ビジネスジャーナル『半導体こぼれ話』(1ヶ月に1回)
・伊勢新聞『半導体漫遊記』(隔週)
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セミナー趣旨
3月、カタールのLNG施設停止により世界のヘリウム供給の約3分の1が消失し、半導体製造の根幹を支えるウエハー温度制御が成立しなくなる危機が発生した。ヘリウムはドライエッチング装置において±1℃以下の温度均一性を維持するための唯一無二の熱制御ガスであり、代替は事実上存在しない。その供給途絶は、3D NANDの極低温エッチング、HBMのTSV形成、GAAトランジスタのナノシート形成といった先端プロセスを物理的に不可能にし、「性能低下」ではなく「製造不能」を引き起こす。影響は韓国メモリメーカー、TSMCの2nmプロセス、さらには米国・日本の半導体拠点にも及び、グローバルサプライチェーン全体を停止に追い込むリスクをはらむ。
第Ⅲ部では、この危機が単なる供給不足ではなく、「フォース・マジュール連鎖」として産業全体に波及する構造を示す。産業ガス供給者から半導体メーカー、AIチップベンダー、ハイパースケーラーへと契約不履行が段階的に伝播し、年間3,000億ドル超のAI投資計画そのものが物理的に実行不能となる。従来議論されてきた「電力制約」や「CoWoSキャパ不足」の前に、「半導体を製造できない」という最上流のボトルネックが出現している点が決定的に重要である。
最後に、本セミナーでは短期・中期・長期の対策を体系的に提示し、日本の半導体産業・自動車産業が取るべき戦略を具体的に示す。結論は明確である。AIブームは、経済的破綻と物理的破綻が同時進行する未曾有の構造危機に直面しており、この転換に乗り遅れた国・企業は、次世代半導体競争から脱落することになる。
第Ⅲ部では、この危機が単なる供給不足ではなく、「フォース・マジュール連鎖」として産業全体に波及する構造を示す。産業ガス供給者から半導体メーカー、AIチップベンダー、ハイパースケーラーへと契約不履行が段階的に伝播し、年間3,000億ドル超のAI投資計画そのものが物理的に実行不能となる。従来議論されてきた「電力制約」や「CoWoSキャパ不足」の前に、「半導体を製造できない」という最上流のボトルネックが出現している点が決定的に重要である。
最後に、本セミナーでは短期・中期・長期の対策を体系的に提示し、日本の半導体産業・自動車産業が取るべき戦略を具体的に示す。結論は明確である。AIブームは、経済的破綻と物理的破綻が同時進行する未曾有の構造危機に直面しており、この転換に乗り遅れた国・企業は、次世代半導体競争から脱落することになる。
セミナー講演内容
※構成と内容を大幅見直し改定し、更新しました(4/14更新)
第1章 AI投資はすでに異常水準に達している
1-1 ハイパースケーラー各社の設備投資競争の実態
1-2 「成長投資」から「脱落回避の軍拡」への変質
1-3 本セミナーの分析フレームワーク:GPU・HBM・電力の三要素分解
第2章 MicrosoftとGoogleに見る投資規模の実態
2-1 Microsoft:設備投資645~800億ドル、減価償却220億ドルの重圧
2-2 Google:設備投資914億ドル、Cloud営業利益の3.3倍に達する投資規模
2-3 従来のクラウド投資サイクルとの比較と逸脱の程度
第3章 AIデータセンターのコスト構造
3-1 GPU:H100/GB200のシステム価格とクラスタ単位の投資規模(数億~7億ドル)
3-2 HBM:1GPUあたり6千~1.2万ドルのメモリコストと供給集中リスク
3-3 電力:1万GPUクラスタで20MW・年間175GWh・年間電力コスト2,500万ドル超
3-4 三要素の加速度的コスト増大構造
第4章 従来の回収モデルは成立しない
4-1 クラウドビジネスの従来型回収モデルとの違い
4-2 1万GPUクラスタの年間総コスト約2.1億ドルの内訳
4-3 稼働率70%前提で必要請求単価 約3.4ドル/GPU時間の算出
4-4 AIサービスAPI価格の急落とコスト高止まりの逆行現象
4-5 「スケールするほどリスクが増大する」モデルへの転換
第5章 破綻ライン ― 三つの崩壊シナリオ
5-1 破綻ラインの定義と算出方法
5-2 シナリオ1:ソフト崩壊(価格競争激化、年間赤字約4,490万ドル)
5-3 シナリオ2:ハード崩壊(電力・冷却コスト上昇、年間赤字約8,170万ドル)
5-4 シナリオ3:金融崩壊(償却期間短縮+資本コスト、年間赤字約1.33億ドル)
5-5 破綻は"非線形"に起きる ― BREAKDOWN ZONEの可視化
5-6 電力制約:GPUスケーリングと原発換算基数
5-7 経済と物理の"二重破綻"の結論
第6章 中東情勢が引き起こした「ヘリウムショック」
6-1 カタールLNG施設停止と世界He供給33%消失の経緯
6-2 ヘリウムの物理的特性と産業的重要性(半導体・医療・宇宙)
6-3 Airgas社のフォース・マジュール宣言と供給配分の変化
第7章 ドライエッチング装置におけるヘリウムの役割と代替不可能性
7-1 プラズマからの入熱とウエハー温度制御の原理
7-2 静電チャック(ESC)+Heによる裏面冷却メカニズム
7-3 Heの熱伝導率がN₂の約6倍・Arの約8倍である物理的根拠
7-4 広い温度帯域(-80℃の極低温~100℃の高温)への対応
7-5 Heは「消耗品」として使い捨てされている現実
7-6 He途絶=「プロセス成立不能」を意味する理由
第8章 極低温エッチングの崩壊 ― 先端半導体は作れなくなる
8-1 3D NANDメモリホールの高アスペクト比エッチングへの影響
8-2 GAAナノシート形成における高選択比エッチングへの影響
8-3 TELが開発したHF/PF₃+Cryoエッチング技術の解説
8-4 極低温エッチングの先端DRAM・先端ロジックへの展開
第9章 韓国メモリメーカーの苦境
9-1 カタール依存65%:韓国が抱える構造的脆弱性
9-2 在庫枯渇のカウントダウン(5カ月未満)
9-3 Samsung・SK hynix停止がもたらすグローバルサプライチェーンの混乱
9-4 リンデ・エアプロダクツとの長期契約報道の評価
第10章 TSMCが直面する"二重の制約"
10-1 2nm(N2)GAAプロセスにおけるHe依存
10-2 台湾のLNG依存と電力リスクの同時発生
10-3 N2遅延がApple・NVIDIA・AMD等の次世代製品に与える連鎖的影響
第11章 米国も安全ではない ― 世界最大のHe生産国の構造的制約
11-1 長期契約による拘束
11-2 極低温ISOコンテナ200基以上の中東滞留と物流インフラの崩壊
11-3 精製能力の上限
11-4 Intel 18A、Micron、TSMC Arizona工場への影響とCHIPS法のボトルネック
第12章 日本半導体への甚大な影響
12-1 Rapidus 2nm:技術面・調達面の二重リスク
12-2 TSMC熊本工場:ノード別(22/28nm、12/16nm、N3)影響分析
12-3 Micron広島工場:DRAM/HBMへの影響
12-4 車載用ロジック・パワー半導体(AEC-Q100/Q101規格不適合リスク)
12-5 日本自動車産業への波及 ― 「使える半導体が不足する」構造的供給危機
第13章 AI半導体サプライチェーンの構造的脆弱性
13-1 GPU/AI ASIC(TSMC依存)・HBM(SK hynix/Samsung/Micron依存)・3D NANDのダブル・トリプル制約
13-2 ハイパースケーラー4社合計 年間3,000億ドル超の投資前提が崩れる
13-3 ボトルネックの再定義:「電力」の前に「製造」が止まる
第14章 フォース・マジュール連鎖の4段階
14-1 第1段階:産業ガス供給者(Airgas、Linde、Air Products)
14-2 第2段階:半導体メーカー(SK hynix、Samsung → TSMC、Micron → Intel)
14-3 第3段階:AIチップベンダー(NVIDIA、AMD、Broadcom、Apple等)
14-4 第4段階:ハイパースケーラー(Microsoft、Google、Amazon、Meta)
14-5 時価総額1~2兆ドル規模の毀損リスク
14-6 3Mフロリナート事例との対比と今回の危機の本質的な違い
第15章 提言 ― 臨界点からの回避策と羅針盤
15-1 短期(0~6カ月):代替調達先の確保と外交的対応
15-2 中期(6カ月~2年):Heの戦略物資化、国家備蓄制度の設計、調達先多角化
15-3 長期(2~5年以上):He依存からの脱却 ― ESC表面設計の革新、代替ガス研究、産官学連携体制の構築
15-4 日本の半導体産業・自動車産業が今すぐ取るべきアクション
第16章 総括 ― 経済的破綻と物理的破綻の同時進行が意味するもの
16-1 AIデータセンター投資の採算破綻とHe供給途絶の合流点
16-2 半導体シリコンサイクルからの帰結:GPU・HBM・DRAM・SSD・HDDの価格大暴落リスク
16-3 AIブームの熱狂の先にあるもの ― 行動の時間的余裕は急速に失われている
□質疑応答・名刺交換(会場受講限定)□
※講演プログラムは、最新の報道や動向などを踏まえ、より重要度の高い内容へ適宜アップデートする可能性がございます。また、情勢の変化に応じて、講演題目・趣旨・目次等を一部変更する場合がございますので、予めご了承ください。
| 第1部 AIデータセンター投資の経済的破綻構造 |
第1章 AI投資はすでに異常水準に達している
1-1 ハイパースケーラー各社の設備投資競争の実態
1-2 「成長投資」から「脱落回避の軍拡」への変質
1-3 本セミナーの分析フレームワーク:GPU・HBM・電力の三要素分解
第2章 MicrosoftとGoogleに見る投資規模の実態
2-1 Microsoft:設備投資645~800億ドル、減価償却220億ドルの重圧
2-2 Google:設備投資914億ドル、Cloud営業利益の3.3倍に達する投資規模
2-3 従来のクラウド投資サイクルとの比較と逸脱の程度
第3章 AIデータセンターのコスト構造
3-1 GPU:H100/GB200のシステム価格とクラスタ単位の投資規模(数億~7億ドル)
3-2 HBM:1GPUあたり6千~1.2万ドルのメモリコストと供給集中リスク
3-3 電力:1万GPUクラスタで20MW・年間175GWh・年間電力コスト2,500万ドル超
3-4 三要素の加速度的コスト増大構造
第4章 従来の回収モデルは成立しない
4-1 クラウドビジネスの従来型回収モデルとの違い
4-2 1万GPUクラスタの年間総コスト約2.1億ドルの内訳
4-3 稼働率70%前提で必要請求単価 約3.4ドル/GPU時間の算出
4-4 AIサービスAPI価格の急落とコスト高止まりの逆行現象
4-5 「スケールするほどリスクが増大する」モデルへの転換
第5章 破綻ライン ― 三つの崩壊シナリオ
5-1 破綻ラインの定義と算出方法
5-2 シナリオ1:ソフト崩壊(価格競争激化、年間赤字約4,490万ドル)
5-3 シナリオ2:ハード崩壊(電力・冷却コスト上昇、年間赤字約8,170万ドル)
5-4 シナリオ3:金融崩壊(償却期間短縮+資本コスト、年間赤字約1.33億ドル)
5-5 破綻は"非線形"に起きる ― BREAKDOWN ZONEの可視化
5-6 電力制約:GPUスケーリングと原発換算基数
5-7 経済と物理の"二重破綻"の結論
| 第2部 ヘリウム供給途絶 ― AIブームを崩壊させる「見えない臨界点」 |
第6章 中東情勢が引き起こした「ヘリウムショック」
6-1 カタールLNG施設停止と世界He供給33%消失の経緯
6-2 ヘリウムの物理的特性と産業的重要性(半導体・医療・宇宙)
6-3 Airgas社のフォース・マジュール宣言と供給配分の変化
第7章 ドライエッチング装置におけるヘリウムの役割と代替不可能性
7-1 プラズマからの入熱とウエハー温度制御の原理
7-2 静電チャック(ESC)+Heによる裏面冷却メカニズム
7-3 Heの熱伝導率がN₂の約6倍・Arの約8倍である物理的根拠
7-4 広い温度帯域(-80℃の極低温~100℃の高温)への対応
7-5 Heは「消耗品」として使い捨てされている現実
7-6 He途絶=「プロセス成立不能」を意味する理由
第8章 極低温エッチングの崩壊 ― 先端半導体は作れなくなる
8-1 3D NANDメモリホールの高アスペクト比エッチングへの影響
8-2 GAAナノシート形成における高選択比エッチングへの影響
8-3 TELが開発したHF/PF₃+Cryoエッチング技術の解説
8-4 極低温エッチングの先端DRAM・先端ロジックへの展開
第9章 韓国メモリメーカーの苦境
9-1 カタール依存65%:韓国が抱える構造的脆弱性
9-2 在庫枯渇のカウントダウン(5カ月未満)
9-3 Samsung・SK hynix停止がもたらすグローバルサプライチェーンの混乱
9-4 リンデ・エアプロダクツとの長期契約報道の評価
第10章 TSMCが直面する"二重の制約"
10-1 2nm(N2)GAAプロセスにおけるHe依存
10-2 台湾のLNG依存と電力リスクの同時発生
10-3 N2遅延がApple・NVIDIA・AMD等の次世代製品に与える連鎖的影響
第11章 米国も安全ではない ― 世界最大のHe生産国の構造的制約
11-1 長期契約による拘束
11-2 極低温ISOコンテナ200基以上の中東滞留と物流インフラの崩壊
11-3 精製能力の上限
11-4 Intel 18A、Micron、TSMC Arizona工場への影響とCHIPS法のボトルネック
第12章 日本半導体への甚大な影響
12-1 Rapidus 2nm:技術面・調達面の二重リスク
12-2 TSMC熊本工場:ノード別(22/28nm、12/16nm、N3)影響分析
12-3 Micron広島工場:DRAM/HBMへの影響
12-4 車載用ロジック・パワー半導体(AEC-Q100/Q101規格不適合リスク)
12-5 日本自動車産業への波及 ― 「使える半導体が不足する」構造的供給危機
| 第3部 フォース・マジュール連鎖と対策・羅針盤 |
第13章 AI半導体サプライチェーンの構造的脆弱性
13-1 GPU/AI ASIC(TSMC依存)・HBM(SK hynix/Samsung/Micron依存)・3D NANDのダブル・トリプル制約
13-2 ハイパースケーラー4社合計 年間3,000億ドル超の投資前提が崩れる
13-3 ボトルネックの再定義:「電力」の前に「製造」が止まる
第14章 フォース・マジュール連鎖の4段階
14-1 第1段階:産業ガス供給者(Airgas、Linde、Air Products)
14-2 第2段階:半導体メーカー(SK hynix、Samsung → TSMC、Micron → Intel)
14-3 第3段階:AIチップベンダー(NVIDIA、AMD、Broadcom、Apple等)
14-4 第4段階:ハイパースケーラー(Microsoft、Google、Amazon、Meta)
14-5 時価総額1~2兆ドル規模の毀損リスク
14-6 3Mフロリナート事例との対比と今回の危機の本質的な違い
第15章 提言 ― 臨界点からの回避策と羅針盤
15-1 短期(0~6カ月):代替調達先の確保と外交的対応
15-2 中期(6カ月~2年):Heの戦略物資化、国家備蓄制度の設計、調達先多角化
15-3 長期(2~5年以上):He依存からの脱却 ― ESC表面設計の革新、代替ガス研究、産官学連携体制の構築
15-4 日本の半導体産業・自動車産業が今すぐ取るべきアクション
第16章 総括 ― 経済的破綻と物理的破綻の同時進行が意味するもの
16-1 AIデータセンター投資の採算破綻とHe供給途絶の合流点
16-2 半導体シリコンサイクルからの帰結:GPU・HBM・DRAM・SSD・HDDの価格大暴落リスク
16-3 AIブームの熱狂の先にあるもの ― 行動の時間的余裕は急速に失われている
□質疑応答・名刺交換(会場受講限定)□
※講演プログラムは、最新の報道や動向などを踏まえ、より重要度の高い内容へ適宜アップデートする可能性がございます。また、情勢の変化に応じて、講演題目・趣旨・目次等を一部変更する場合がございますので、予めご了承ください。
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