2nm世代以降の先端半導体配線技術の最新動向
Cu/Low-k配線の限界、Cu延命技術、Ru/Airgap・代替材料、
信頼性課題、裏面電源配線(BSPDN)
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| 日時 | 2026年7月24日(金) 13:00~16:30 |
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受講料(税込)
各種割引特典
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49,500円
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| 特典 | ■ライブ受講に加えて、見逃し配信でも1週間視聴できます■ 【見逃し配信の視聴期間】2026年7月27日(月)~8月2日(日)まで ※このセミナーは見逃し配信付きです。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。 ※ライブ配信を欠席し見逃し視聴のみの受講も可能です。 ※動画は未編集のものになります。 ※視聴ページは、開催翌営業日の午前中には、マイページにリンクを設定する予定です。 | |||
| 配布資料 | 製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定) ※開催まで4営業日~前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が、 開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。 Zoom上ではスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。 | |||
| オンライン配信 | Zoomによるライブ配信 ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください) | |||
| 備考 | ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 | |||
| 得られる知識 | ・集積回路配線の技術トレンド ・現状のCu/Low-k配線の製造工程や信頼性評価の基礎(EM, SIV, TDDBなど) ・2nmノード以降に向けた先端配線の課題とCu、Wに代わるRuやMoなど新材料の研究開発動向 | |||
| 対象 | ・集積回路配線の製造工程、信頼性など開発の要点を学びたい方 ・2nmノード以降に向けた配線の課題、Cu/Low-k配線の延命、代替配線の研究開発動向、見通しを知りたい方 ・配線の基礎から説明するので配線に関する予備知識は特に必要なし | |||
セミナー講師
専門:集積回路配線プロセス
1984―2006:NEC、NECエレクトロニクスで半導体デバイス、集積回路配線の研究開発(Cu配線プロセスと高信頼化)
2006ー2025:芝浦工業大学教授(ナノエレクトロニクス研究室)、次世代配線材料プロセスの研究(グラフェンの配線・RFデバイス応用など)
2025―現在:2nm以降の配線技術研究
セミナー趣旨
本セミナーでは、現在使われているCu/Low-k配線の基礎から、2nm世代以降の配線に向けた新材料、新構造や新プロセスの最新研究開発動向を解説する。
セミナー講演内容
1.1 配線の微細化と3D化が求められる背景
1.2 配線の役割と性能指標
1.2.1 配線の役割
1.2.2 階層化された多層配線構造
1.2.3 配線の性能指標
1.2.4 各配線層の役割に応じた要求性能
1.3 配線信頼性の基礎知識
1.3.1 微細化に伴う配線信頼性の重要性
1.3.2 デバイスの故障と信頼性予測の手順
1.3.3 エレクトロマイグレーション(EM)
1.3.4 ストレス誘起ボイド(SIV)
1.3.5 TDDB
1.3.6 耐湿信頼性
1.4 Cu/Low-k配線プロセス
1.4.1 Cu/Low-kダマシンプロセスと課題
1.4.2 Low-k絶縁膜と課題
1.4.3 ダマシン法に用いる要素プロセス(バリア・ライナ、めっき、リフロー、CMP)
2.2nm以降半導体に向けた配線の材料・構造・プロセス
2.1 2nm以降半導体に向けた配線の課題
2.1.1 新材料への切り替え時期予測とロードマップ
2.1.2 2nm以降の微細パターンの形成方法(Self-Aligned Double Patterning)
2.2 Cu配線の延命
2.2.1 Advanced Low-k膜(高プラズマ耐性Low-k膜)
2.2.2 バリア/ライナーの薄膜化
2.2.3 Cu埋め込み法の改善
2.2.4 グラフェンキャップによる改善
2.2.5 ビア抵抗低減のための新構造とプロセス
2.3 Cu代替配線配線材料
2.3.1 代替配線材料の選択基準
2.3.2 代替配線材料をしぼり込む流れ
2.3.3 ルテニウム/エアギャップ配線(Ru/AG)
2.3.4 モリブデン
2.3.5 グラフェン
2.3.6 その他の代替配線材料
2.4 2nm以降の配線信頼性
2.4.1 Ru/AG配線のEM信頼性とジュール発熱
2.4.2 Ru/AG配線のTDDB信頼性
2.5 新構造とプロセス
2.5.1 配線とビアのセルフアライン接続構造とプロセス
2.5.2 裏面電源配線(Backside Power Delivery Network)と3D集積
□質疑応答□
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