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先端および次世代EUVリソグラフィー技術の基礎、
最新技術動向と今後の展望

■リソグラフィー技術■ ■EUVリソグラフィー技術課題に対する取り組み■
■レジスト材料プロセス技術:マスク欠陥技術、ペリクル技術、光源技術■
■次世代EUVリソグラフィー、日本の半導体技術の今後■

受講可能な形式:【ライブ配信】のみ
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク 


★ EUVLの現状、課題、最新動向、今後の日本の半導体技術の覇権に重要な要素とは!
日時 【ライブ配信】 2026年9月18日(金)  10:30~16:30
受講料(税込)
各種割引特典
定価:本体50,000円+税5,000円
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
  2名で55,000円(2名ともE-Mail案内登録必須​/1名あたり定価半額の27,500円)
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク
 3名以上のお申込みで1名あたり:受講料 24,200円
 本体22,000円+税2,200円(1名あたり)
※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。
※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。
 
テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】
 1名申込みの場合:受講料44,000円(E-Mail案内登録価格 42,020円) 
 定価:本体40,000円+税4,000円 E-Mail案内登録価格:本体38,200円+税3,820円
※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※他の割引は併用できません。
 
■■■受講人数ごとのお申込み例■■■
1名で受講の場合:42,020円(税込) ※テレワーク応援キャンペーン/E-mail案内登録の場合
2名で受講の場合:55,000円(税込) ※2名同時申込みで1名分無料:1名あたり27,500円(税込)
3名で受講の場合:72,600円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり24,200円(税込)
4名で受講の場合:96,800円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり24,200円(税込)
5名で受講の場合:121,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり24,200円(税込)
配布資料PDFテキスト(印刷可・編集不可)
※開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。
オンライン配信Zoomによるライブ配信 ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください)
備考※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

セミナー講師

兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所
次世代EUVL研究寄附講座 特任教授・名誉教授 渡邊 健夫 氏

<職歴>
1990.10 シャープ株式会社中央研究所入社 64MDRAMの開発に従事
1993.4 EUVLの研究に着手
1996.4 兵庫県立大学高度産業科学技術研究所 助手
2007.4 助教、2008年 准教授、2015年~2024年 教授 兼 EUVL研究開発センター長
2016.4~2023.3 同 研究所長 兼 EUVL研究開発センター長
2021.11~2023.31 学長特別補佐
2024年より現職
<外部委員>
・2024~ 文科省関連K-Program分科委員
 (アドバイザー)
・2020~ Committee member of IRDS and SDRJ
  半導体国際ロードマップ委員(Lithography) 
・2021-2023 次世代電池・半導体技術開発
 拠点推進協議会座長
<学会関連>
・Conference Chair of Photomask Japan
・President of the Photopolymer Sci. and Tech.
・Committee member of Blue-X Workshop
・Committee member of EUVL Workshop
・Committee member of Hyper NA EUVL Workshop  
<主な受賞歴>
・2024.12   兵庫県科学賞受賞 他

セミナー趣旨

 極端紫外線リソグラフィー技術について、Low NA EUVL, High NA EUVL, Hyper NA EUV, 短波長EUVLについてリソグラフィーの特徴と、EUV光源技術、多層膜技術、光学系技術、マスク技術、レジスト技術等基盤 技術全般に亘り解説します。

セミナー講演内容

<得られる知識・技術>
Low NA EUVL, High NA EUVL, Hyper NA EUV, 短波長EUVLの特徴、並びにこれに係わる各基盤技術要素全般
(光源、光学系(多層膜を含む)、マスク、レジスト、ペリクルなど)


<プログラム>
1.はじめに 1.1 IoTおよびAIに期待すること 
 1.2 半導体市場 
 1.3 半導体国際ロードマップから読み取れること 
 1.4 半導体微細加⼯技術の必要性 
 1.5 今後の半導体技術動向と市場との関係 
 1.6 今後の半導体技術に期待すること

2.リソグラフィー技術
 2.1 リソグラフィー技術の変遷
 2.2 黎明期のX線縮小露光技術からEUVリソグラフィー技術への展開
 2.3 EUVリソグラフィーとは EUV光源、光学系、レジスト、マスク、露光機の概要 

3.兵庫県立大学でのEUVリソグラフィー技術開発の取り組み
 3.1 日本、米国のEUVLプロジェクトの変遷
 3.2 ニュースバル放射光施設の紹介

4.EUVリソグラフィー技術課題に対する取り組み
 4.1 レジスト材料プロセス技術
 4.2 マスク欠陥技術
 4.3 ペリクル技術
 4.4 光源技術 

5.次世代EUVリソグラフィー
 5.1 Hyper NA
 5.2 Beyond EUV(EUVリソグラフィーの短波⻑化) 

6.日本の半導体技術の過去、現在、今後 日本の半導体技術の覇権に重要な要素 

7.まとめ


  □質疑応答□