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【 2 名 同 時 申 込 で 1 名 無 料 】 対 象 セ ミ ナ ー

リソグラフィ技術の基礎および
EUVリソグラフィ・レジスト周辺技術と展望

　～半導体プロセス技術、半導体デバイス技術、リソグラフィ技術～

受講可能な形式：【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク


●アーカイブ配信のみの受講もOKです。
●微細加工の基礎、フォトリソグラフィ技術の原理、フォトリソグラフィ技術の材料、EUVリソグラフィ技術の応用事例
　について分かりやすく丁寧に解説して行きます。　　
日時 【Live配信（アーカイブ配信付き）】 2025年1月31日（金）  13:00～16:30
受講料(税込)
各種割引特典
49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,970円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価：本体45,000円＋税4,500円
E-Mail案内登録価格：本体42,700円＋税4,270円
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
  2名で49,500円（2名ともE-Mail案内登録必須​／１名あたり定価半額の24,750円）
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク
 3名以上のお申込みで1名あたり：受講料 22,000円
　本体20,000円＋税2,000円(1名あたり)
※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。
※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。
 
テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】
 1名申込みの場合：受講料39,600円（E-Mail案内登録価格 37,840円）　
　定価：本体36,000円＋税3,600円　E-Mail案内登録価格：本体34,400円＋税3,440円
※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※他の割引は併用できません。
 
■■■受講人数ごとのお申込み例■■■
1名で受講の場合：37,840円(税込)　※テレワーク応援キャンペーン/E-mail案内登録の場合
2名で受講の場合：49,500円(税込)　※2名同時申込みで1名分無料：1名あたり24,750円(税込)
3名で受講の場合：66,000円(税込)　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり22,000円(税込)
4名で受講の場合：88,000円(税込)　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり22,000円(税込)
5名で受講の場合：110,000円(税込)　※半導体産業応援キャンペーン：1名あたり22,000円(税込)
特典【アーカイブの視聴期間】2025年2月1日(土)～2月7日(金)まで
※このセミナーはアーカイブ付きです。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。
アーカイブ(見逃し)配信について
※視聴期間は終了翌日から7日間を予定しています。またアーカイブは原則として編集は行いません。
※マイページからZoomの録画視聴用リンクにてご視聴いただきます。
配布資料PDFデータ(印刷可・編集不可)
※開催2日前を目安に、S＆T会員のマイページよりダウンロード可となります。
オンライン配信ZoomによるLive配信　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
備考※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

 

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セミナー講師

東京大学　大学院新領域創成科学研究科・特任助教　藤原 弘和　氏
＜経歴＞
1991年、岡山県生まれ。2019年に岡山大学にて博士号（理学）を取得。
同年、東芝メモリ株式会社（現 キオクシア株式会社）入社。
同社メモリ技術研究所デバイス技術研究開発センター配属。
2021年より東京大学物性研究所附属極限コヒーレント光科学研究センター特任研究員
を経て、2024年より同大学大学院新領域創成科学研究科特任助教に着任。
光電子分光・顕微鏡を活用した半導体デバイスおよび材料開発を専門とし、
産学連携による先端分析技術の社会実装にも取り組む。

＜WebSite＞
https://researchmap.jp/fujiwara_h

セミナー趣旨

　フォトリソグラフィ技術の進化は、半導体集積回路の集積度向上を支えてきました。最先端の極端紫外線（EUV）リソグラフィによって20 nm以下の線幅まで解像可能となり、微細化による半導体製品の高性能化のトレンドは継続するとみられます。しかし、EUVリソグラフィには特有の課題があり、レジスト材料等の最適化が進められています。
　本講演では、微細加工技術の基礎から始まり、フォトリソグラフィ技術の原理や特長、さらに最新のEUVリソグラフィ技術について、光と物質の相互作用に基づいて詳しく解説します。
  EUVリソグラフィの装置やレジスト、フォトマスクなどの要素技術から応用事例までを網羅し、最後にフォトリソグラフィ技術の課題と今後の展望について紹介します。これにより、微細加工分野における最先端技術の理解を深めていただくことを目的としています。

セミナー講演内容

＜得られる知識・技術＞
　・リソグラフィの物理・評価技術
　・半導体プロセス技術
　・半導体デバイス技術

＜プログラム＞
１．微細加工技術
   1.1 微細加工の基礎
　1.2 微細加工パターンの評価手法
　　1.2.1 光学顕微鏡
　　1.2.2 電子顕微鏡
　　1.2.3 プローブ顕微鏡

２．フォトリソグラフィの基礎
   2.1 フォトリソグラフィ技術の原理
　2.2 フォトリソグラフィの特長
　2.3 フォトリソグラフィの歴史
　2.4 フォトリソグラフィ技術の材料

３．EUVリソグラフィ技術の基礎
　3.1 EUVリソグラフィ装置
　3.2 EUV露光の物理
　3.3 EUVレジスト
　　3.3.1 化学増幅型レジスト
　　3.3.2 非化学増幅型レジスト
　　3.3.3 メタルレジスト
　　3.3.4 その他のレジスト
　3.4 レジスト周辺材料
　3.5 EUVフォトマスク
　　3.5.1 EUVマスクブランクス
　　3.5.2 EUVペリクル

４．EUVリソグラフィ技術の応用事例
　4.1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
　4.2  銀または銅焼結接合技術
　4.3  SiC-MOSFETモジュール技術

5．フォトリソグラフィ技術の課題と展望

　　　　　□質疑応答□

 

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