筑波大学 数理物質系 教授　岩室 憲幸　氏
【経歴・研究内容・専門・ご活動など】
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年　博士（工学）（早稲田大学）
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までﾊﾟﾜｰﾃﾞﾊﾞｲｽｼﾐｭﾚｰｼｮﾝ技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar.　MOS-gate thyristorの研究に従事
1999年-2005年　薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事
2009 年5月-2013年3月　産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事。
2013年4月-　国立大学法人　筑波大学　教授。現在に至る。
IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員
【著書】
1．「パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス」（科学情報出版, 2024年2月）
2．「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」　（科学情報出版, 2019年9月）
3. “Springer Handbook of Semiconductor Devices” Editor M Rudan et al., Chapter “Silicon Power
  Devices 担当執筆, Springer Nature, 2023. 
4．“Wide Bandgap Semiconductor Power Devices” Editor B.J.Baliga, Chapert 4 担当・執筆　(Elsevier, Oct. 2018)
【監修書】
1．「パワーエレクトロニクス技術の進展」　（㈱シーエムシー出版, 2024年9月）
2．「次世代パワー半導体の開発・評価と実用化」（㈱エヌ・ティー・エス　2022年2月）、
3．「次世代パワー半導体の開発動向と応用展開」（㈱シーエムシー出版, 2021年8月）
【編集書】
1．「世界を動かすパワー半導体 －IGBTがなければ電車も自動車も動かない-」（電気学会2008年12月 ）
【受賞】
日経エレクトロニクス　パワーエレクトロニクスアワード2020　最優秀賞　(2020年12月)
電気学会　第23回優秀活動賞　技術報告賞　(2020年4月)
電気学会　優秀技術活動賞　グループ著作賞(2011年)
【専門】シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術
【WebSite】
http://power.bk.tsukuba.ac.jp/
https://youtu.be/VjorIIacez0

　2025年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。現在その進展のスピードはやや減速していると言われているが、xEV化はもはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。特にSiCデバイスはすでにxEVへの搭載も始まっており、今後はシリコンIGBTをいかに凌駕していくかに注目が集まっている。
　そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、また最近注目され始めてきた新材料酸化ガリウムパワーデバイスの動向や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

＜得られる技術・知識＞
パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-MOSFET, IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、酸化ガリウムパワーデバイス技術など。

＜プログラム＞
１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに
　1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
　1-2 パワー半導体の種類と基本構造
　1-3 パワーデバイスの適用分野
　1-4 最近のトピックスから
　1-5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか？
　1-6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
　1-7 ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
　1-8 パワーデバイス開発のポイント

２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
　2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
　2-2 MOSFET特性改善を支える技術
　2-3 IGBT特性改善を支える技術
　2-4 IGBT薄ウェハ化の限界
　2-5 IGBT特性改善の次の一手
　2-6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
　2-7 シリコンIGBTの実装技術

３．SiCパワーデバイスの現状と課題
　3-1 半導体デバイス材料の変遷
　3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
　3-3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
　3-4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
　3-5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
　3-6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
　3-7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
　3-8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
　3-9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
　3-10 内蔵ダイオード信頼性向上技術

４．GaNパワーデバイスの現状と課題
　4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
　4-2 GaNデバイスの構造
　4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
　4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
　4-5 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
　4-6 GaN-HEMTの最新技術動向（高耐圧化へ向けて）
　4-7 縦型GaNデバイスの最新動向

５．酸化ガリウムパワーデバイスの現状
　5-1 酸化ガリウムの特徴は何
　5-2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況

６．SiCパワーデバイス実装技術の進展
　6-1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
　6-2 銀または銅焼結接合技術
　6-3 SiC-MOSFETモジュール技術

７．まとめ

　　□質疑応答□​