セミナー 印刷

SiCパワーデバイスの現状と課題、高温対応実装技術

■パワー半導体デバイス/パッケージの最新技術動向■
■Si-IGBTの強み、SiCパワーデバイスの特長と課題。市場予測■
■シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術、SiCデバイス特有の設計、プロセス技術■

受講可能な形式:【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク 
 

★ アーカイブ配信のみの受講もOKです。
★ 自動車の電動化(xEV)へシリコンIGBTをいかに凌駕していくか!
★ 半導体素子や実装技術、市場予測を含め、わかりやすくかつ丁寧に解説します。
日時 【Live配信(アーカイブ配信付き)】 2024年12月23日(月)  13:00~16:30
受講料(税込)
各種割引特典
49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,970円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価:本体45,000円+税4,500円
E-Mail案内登録価格:本体42,700円+税4,270円
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料 1名分無料適用条件
  2名で49,500円(2名ともE-Mail案内登録必須​/1名あたり定価半額の24,750円)
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク
 3名以上のお申込みで1名あたり:受講料 22,000円
 本体20,000円+税2,000円(1名あたり)
※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。
※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。
 
テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】
 1名申込みの場合:受講料37,400円(E-Mail案内登録価格 35,640円) 
 定価:本体34,000円+税3,400円 E-Mail案内登録価格:本体32,400円+税3,240円
※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※他の割引は併用できません。
 
■■■受講人数ごとのお申込み例■■■
1名で受講の場合:35,640円(税込) ※テレワーク応援キャンペーン/E-mail案内登録の場合
2名で受講の場合:49,500円(税込) ※2名同時申込みで1名分無料:1名あたり24,750円(税込)
3名で受講の場合:66,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり22,000円(税込)
4名で受講の場合:88,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり22,000円(税込)
5名で受講の場合:110,000円(税込) ※半導体産業応援キャンペーン:1名あたり22,000円(税込)
特典■Live受講に加えて、アーカイブでも1週間視聴(※年末年始を挟むので1/6まで)できます■
【アーカイブの視聴期間】2024年12月24日(金)~1月6日(月)まで
※このセミナーはアーカイブ付きです。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。
アーカイブ(見逃し)配信について
※視聴期間は終了翌日から7日間を予定しています。またアーカイブは原則として編集は行いません。
※マイページからZoomの録画視聴用リンクにてご視聴いただきます。
配布資料PDFデータ(印刷可・編集不可)
※開催2日前を目安に、S&T会員のマイページよりダウンロード可となります。
オンライン配信ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください)
備考※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

セミナー講師

筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏
<経歴>
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士(工学)(早稲田大学)
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事
1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事
1999年-2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事
2009年5月-2013年3月 産業技術総合研究所。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事
2013年4月- 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る
IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員、著書多数
<主な受賞>
日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞 (2020年12月)
電気学会 第23回 優秀活動賞 技術報告賞 (2020年4月)
電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞 (2011年)
<専門>
シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術
<WebSite>
http://power.bk.tsukuba.ac.jp/
https://youtu.be/VjorIIacez0

セミナー趣旨

 2024年現在、世界各国は自動車の電動化(xEV)開発に向け大きく進展している。そしてこのxEV化はもはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されており、すでにxEVへの搭載も始まっている。今後はシリコンIGBTをいかに凌駕していくかに注目が集まっている。
 そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

セミナー講演内容

<得られる知識・技術>
・パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。
・Si-IGBTの強み、SiCパワーデバイスの特長と課題。
・パワー半導体デバイスならびにSiC市場予測。
・シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。
・SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

<プログラム>
1.パワーエレクトロニクス(パワエレ)とはなに?

 1.1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1.2 パワー半導体の種類と基本構造
 1.3 パワーデバイスの適用分野
 1.4 最近のトピックスから
 1.5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか?
 1.6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
 1.7 パワーデバイス開発のポイント

2.最新シリコンIGBTの進展と課題
 2.1 パワーデバイス市場の現在と将来
 2.2 IGBT特性改善を支える技術
 2.3 IGBT特性改善の次の一手
 2.4 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに?

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
 3.1 半導体デバイス材料の変遷
 3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3.3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか?
 3.4 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
 3.5 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
 3.6 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
   1) SiCウェハ新技術
   2) MOSFETセル技術
 3.7 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか?
 3.8 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
 3.9 内蔵ダイオード信頼性向上技術
   1) プロトン照射
   2) SiCウェハ新技術
   3) SBD内蔵SiC MOSFET

4.SiCパワーデバイス実装技術の進展
 4.1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
 4.2 銀または銅焼結接合技術
 4.3 SiC-MOSFETモジュール技術

5.まとめ

  □質疑応答□