筑波大学 数理物質系 教授　岩室 憲幸　氏
＜経歴＞
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士（工学）（早稲田大学）
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事
1992年　North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事
1999年-2005年　薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事
2009年5月-2013年3月　産業技術総合研究所。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事
2013年4月-　国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る
IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員、著書多数
＜主な受賞＞
日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞　(2020年12月)
電気学会 第23回 優秀活動賞 技術報告賞 (2020年4月)
電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞 (2011年)
＜専門＞
シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術
＜WebSite＞
http://power.bk.tsukuba.ac.jp/
https://youtu.be/VjorIIacez0

　2024年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そしてこのxEV化はもはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されており、すでにxEVへの搭載も始まっている。今後はシリコンIGBTをいかに凌駕していくかに注目が集まっている。
　そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

＜得られる知識・技術＞
・パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。
・Si-IGBTの強み、SiCパワーデバイスの特長と課題。
・パワー半導体デバイスならびにSiC市場予測。
・シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。
・SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

＜プログラム＞
１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに？
　1.1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
　1.2 パワー半導体の種類と基本構造
　1.3 パワーデバイスの適用分野
　1.4 最近のトピックスから
　1.5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか？
　1.6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
　1.7 パワーデバイス開発のポイント

２．最新シリコンIGBTの進展と課題
　2.1 パワーデバイス市場の現在と将来
　2.2 IGBT特性改善を支える技術
　2.3 IGBT特性改善の次の一手
　2.4 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに？

３．SiCパワーデバイスの現状と課題
　3.1 半導体デバイス材料の変遷
　3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
　3.3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか？
　3.4 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
　3.5 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
　3.6 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
　　　1) SiCウェハ新技術
　　　2) MOSFETセル技術
　3.7 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか？
　3.8 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
　3.9 内蔵ダイオード信頼性向上技術
　　　1) プロトン照射
　　　2) SiCウェハ新技術
　　　3) SBD内蔵SiC MOSFET

４．SiCパワーデバイス実装技術の進展
　4.1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
　4.2 銀または銅焼結接合技術
　4.3 SiC-MOSFETモジュール技術

５．まとめ

　　□質疑応答□