セミナー
サイトリニューアルをしました。
May 8, 2017
自動車の電動化に向けた、
シリコン、ＳｉＣ・ＧａＮパワーデバイス開発の
最新状況と今後の動向
■パワー半導体デバイス、パッケージの最新技術動向■
■Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題■
■パワー半導体デバイス、SiC/GaN市場予測■
■シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術■
受講可能な形式：【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ
★ アーカイブ配信のみの受講もOKです。
★ パワエレ・パワーデバイスの基礎、シリコン、IGBT、SiC、GaN、酸化ガリウムパワーデバイスを俯瞰的に解説！
| 日時 | 【Live配信：アーカイブ付き】 2024年7月31日（水） 10:30～16:30 |
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|---|---|---|
| 会場 | 【Live配信：アーカイブ付き】 オンライン配信セミナー |
会場地図 |
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受講料(税込)
各種割引特典
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55,000円
( E-Mail案内登録価格 52,250円 )
S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価：本体50,000円＋税5,000円
E-Mail案内登録価格：本体47,500円＋税4,750円
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E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
1名分無料適用条件
2名で55,000円 (2名ともE-mail案内登録必須／1名あたり定価半額27,500円)
※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】 1名申込みの場合：受講料( 定価：41,800円／E-mail案内登録価格 39,820円 ) 定価：本体38,000円＋税3,800円 E-mail案内登録価格：本体36,200円＋税3,620円 ※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 ※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。 ※他の割引は併用できません。 |
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| 特典 | ■Live受講に加えて、アーカイブでも１週間視聴できます■ 【アーカイブの視聴期間】2024年8月1日(木)～8月7日(水)まで このセミナーはアーカイブ付きです。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。 | |
| 配布資料 | PDFテキスト(印刷可・編集不可) ※開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。 | |
| オンライン配信 | ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください） ・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。 アーカイブ(見逃し)配信について ・視聴期間は終了翌日から7日間を予定しています。またアーカイブは原則として編集は行いません。 ・マイページからZoomの録画視聴用リンクにてご視聴いただきます。 | |
| 備考 | ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 | |
セミナー講師
筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏
【経歴・研究内容・専門・ご活動など】
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士（工学）（早稲田大学）
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事
1999年-2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事
2009 年5月-2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事。
2013年4月- 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る
IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員
【著書】
1．「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」 （科学情報出版, 2019年9月）
2．“Wide Bandgap Semiconductor Power Devices” Editor B.J.Baliga, Chapert 4 担当・執筆 (Elsevier, Oct. 2018)
3．（監修書）「次世代パワー半導体の開発・評価と実用化」（㈱エヌ・ティー・エス 2022年2月）
4．「次世代パワー半導体の開発動向と応用展開」（㈱シーエムシー出版, 2021年8月）
5．（編集書）「世界を動かすパワー半導体 －IGBTがなければ電車も自動車も動かない-」（電気学会2008年12月 ）
【受賞】
日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞 (2020年12月)
電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞 (2020年4月)
電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞(2011年)
【専門】シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術
【WebSite】
http://power.bk.tsukuba.ac.jp/
https://youtu.be/VjorIIacez0
【経歴・研究内容・専門・ご活動など】
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士（工学）（早稲田大学）
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事
1999年-2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事
2009 年5月-2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事。
2013年4月- 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る
IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員
【著書】
1．「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」 （科学情報出版, 2019年9月）
2．“Wide Bandgap Semiconductor Power Devices” Editor B.J.Baliga, Chapert 4 担当・執筆 (Elsevier, Oct. 2018)
3．（監修書）「次世代パワー半導体の開発・評価と実用化」（㈱エヌ・ティー・エス 2022年2月）
4．「次世代パワー半導体の開発動向と応用展開」（㈱シーエムシー出版, 2021年8月）
5．（編集書）「世界を動かすパワー半導体 －IGBTがなければ電車も自動車も動かない-」（電気学会2008年12月 ）
【受賞】
日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞 (2020年12月)
電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞 (2020年4月)
電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞(2011年)
【専門】シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術
【WebSite】
http://power.bk.tsukuba.ac.jp/
https://youtu.be/VjorIIacez0
セミナー趣旨
2024年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEV化はもはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。特にSiCデバイスはすでにxEVへの搭載も始まっており、今後はシリコンIGBTをいかに凌駕していくかに注目が集まっている。
そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。
そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。
セミナー講演内容
＜得られる技術・知識＞
パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、など。
＜プログラム＞
１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに
1.1 パワエレ＆パワーデバイスの仕事
1.2 パワー半導体の種類と基本構造
1.3 パワーデバイスの適用分野
1.4 最近のトピックスから
1.5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか？
1.6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
1.7 パワーデバイス開発のポイント
２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
2.1 パワーデバイス市場の現在と将来
2.2 MOSFET特性改善を支える技術
2.3 IGBT特性改善を支える技術
2.4 IGBT薄ウェハ化の限界
2.5 IGBT特性改善の次の一手
2.6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
2.7 シリコンIGBTの実装技術
３．SiCパワーデバイスの現状と課題
3.1 半導体デバイス材料の変遷
3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
3.3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
3.4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
3.5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
3.6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
3.7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
3.8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
3.9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
3.10 内蔵ダイオード信頼性向上技術
４．GaNパワーデバイスの現状と課題
4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
4.2 GaNデバイスの構造
4.3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
4.4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
4.5 ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
4.6 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
4.7 GaN-HEMTの課題
4.8 縦型GaNデバイスの最新動向
５．酸化ガリウムパワーデバイスの現状
5.1 酸化ガリウムの特徴は何
5.2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
６．SiCパワーデバイス実装技術の進展
6.1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
6.2 銀または銅焼結接合技術
6.3 SiC-MOSFETモジュール技術
７．まとめ
□質疑応答□
パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、など。
＜プログラム＞
１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに
1.1 パワエレ＆パワーデバイスの仕事
1.2 パワー半導体の種類と基本構造
1.3 パワーデバイスの適用分野
1.4 最近のトピックスから
1.5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか？
1.6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
1.7 パワーデバイス開発のポイント
２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
2.1 パワーデバイス市場の現在と将来
2.2 MOSFET特性改善を支える技術
2.3 IGBT特性改善を支える技術
2.4 IGBT薄ウェハ化の限界
2.5 IGBT特性改善の次の一手
2.6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
2.7 シリコンIGBTの実装技術
３．SiCパワーデバイスの現状と課題
3.1 半導体デバイス材料の変遷
3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
3.3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
3.4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
3.5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
3.6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
3.7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
3.8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
3.9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
3.10 内蔵ダイオード信頼性向上技術
４．GaNパワーデバイスの現状と課題
4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
4.2 GaNデバイスの構造
4.3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
4.4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
4.5 ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
4.6 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
4.7 GaN-HEMTの課題
4.8 縦型GaNデバイスの最新動向
５．酸化ガリウムパワーデバイスの現状
5.1 酸化ガリウムの特徴は何
5.2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
６．SiCパワーデバイス実装技術の進展
6.1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
6.2 銀または銅焼結接合技術
6.3 SiC-MOSFETモジュール技術
７．まとめ
□質疑応答□
関連商品
書籍
番号 M086
発刊
2023年10月
パワーモジュールの高性能化を支える高耐熱・高信頼性材料と実装技術
～xEV向けに採用・市場が拡大するSiCパワーモジュールで求められる技術を整理～
～高温動作・損失低減・小型化などへの対応に向けた構成材料・実装・モジュール構造技術～
エレクトロニクス | 化学・材料
書籍
番号 M086
発刊
2023年10月
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～xEV向けに採用・市場が拡大するSiCパワーモジュールで求められる技術を整理～
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