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May 8, 2017
講師紹介
氏名
原田 俊太
会社・団体
名古屋大学
所属
未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部
役職
准教授
学位
博士(工学)
略歴
1984年京都府京都市生まれ。2010年京都大学大学院工学研究科材料工学専攻博士後期課程修了（博士（工学））。
2010年に名古屋大学に助教として着任後、2020年6月より未来材料・システム研究所未来エレクトロニクス集積研究センター准教授。
2023年7月名古屋大学発ベンチャーとしてSSR株式会社を創業。
最近主に取り組んでいる研究テーマは、偏光観察による化合物半導体結晶の欠陥評価、イオン注入を用いたSiCパワーデバイスの劣化抑制、酸化物結晶中の欠陥制御による熱制御材料の開発、結晶成長プロセスの機械学習制御による自動化、スペクトル超解像による分光分析の高度化など、多岐にわたる。応用物理学会 先進パワー半導体分科会において幹事を務め、SiCパワーデバイスの社会実装に向けて活動を行っている。また、製造業AI普及協会の理事も務め、インフォマティクス技術の製造業応用についての活動も行っている。
2010年に名古屋大学に助教として着任後、2020年6月より未来材料・システム研究所未来エレクトロニクス集積研究センター准教授。
2023年7月名古屋大学発ベンチャーとしてSSR株式会社を創業。
最近主に取り組んでいる研究テーマは、偏光観察による化合物半導体結晶の欠陥評価、イオン注入を用いたSiCパワーデバイスの劣化抑制、酸化物結晶中の欠陥制御による熱制御材料の開発、結晶成長プロセスの機械学習制御による自動化、スペクトル超解像による分光分析の高度化など、多岐にわたる。応用物理学会 先進パワー半導体分科会において幹事を務め、SiCパワーデバイスの社会実装に向けて活動を行っている。また、製造業AI普及協会の理事も務め、インフォマティクス技術の製造業応用についての活動も行っている。
専門
結晶成長、結晶欠陥評価、結晶欠陥制御
研究の内容・キーワード
SiC、結晶欠陥、X線トポグラフィ、偏光観察
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