セミナー
サイトリニューアルをしました。
May 8, 2017
＜ＡＩサーバ用電源ならびに自動車の電動化に向けた＞
シリコン、ＳｉＣ・ＧａＮパワーデバイス開発の
最新状況と今後の動向
■パワー半導体デバイス、パッケージの最新技術動向■
■Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題■
■パワー半導体デバイス、SiC/GaN市場予測■
■シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術■
受講可能な形式：【ライブ配信(見逃し配信付)】のみ
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク
★ Zoom見逃し配信（アーカイブ）のみの受講も可。
★ パワエレ・パワーデバイスの基礎、シリコン、IGBT、SiC、GaN、酸化ガリウムパワーデバイスを俯瞰的に解説！
| 日時 | 【ライブ配信：見逃し配信付】 2026年2月24日（火） 10:30～16:30 |
|||
|---|---|---|---|---|
|
受講料(税込)
各種割引特典
|
55,000円
S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について
定価：本体50,000円＋税5,000円
|
|||
|
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
1名分無料適用条件
2名で55,000円（2名ともE-Mail案内登録必須／１名あたり定価半額の27,500円）
3名以上のお申込みで1名あたり：受講料 24,200円 本体22,000円＋税2,200円(1名あたり) ※受講者全員のE-Mail案内登録が必須です。 ※お申込みフォームで【半導体産業応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。 ※本ページからのお申込みに限り適用いたします。他の割引は併用できません。
定価：本体40,000円＋税4,000円 E-Mail案内登録価格：本体38,200円＋税3,820円 ※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 ※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。 ※他の割引は併用できません。
|
||||
| 特典 | ■ライブ配信受講に加えて、見逃し配信(アーカイブ)でも１週間視聴できます■ 【見逃し配信の視聴期間】2026年2月25日(水)～3月3日(火)まで ※このセミナーは見逃し配信付です。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。 見逃し配信(アーカイブ)について 【ライブ配信受講を欠席し、見逃し配信視聴のみの受講も可能です。】 ※視聴期間は終了翌日から7日間を予定しています。また録画データは原則として編集は行いません。 ※マイページからZoomの録画視聴用リンクにてご視聴いただきます。 | |||
| 配布資料 | PDFテキスト(印刷可・編集不可) ※開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。 | |||
| オンライン配信 | Zoomによるライブ配信 ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
アーカイブ(見逃し)配信について ※視聴期間は終了翌日から7日間を予定しています。またアーカイブは原則として編集は行いません。 ※マイページからZoomの録画視聴用リンクにてご視聴いただきます。 | |||
| 備考 | ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 | |||
セミナー講師
筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏
＜主なご経歴・研究内容など＞
1984年 早稲田大学理工学部卒、1998年 博士（工学）（早稲田大学）
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事。
1999年-2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
2009 年5月-2013年3月 (国研)産業技術総合研究所。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事。
2013年4月- 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員
著書・監修多数
＜受賞＞
1 日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞 (2020年12月)
2 電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞 (2020年4月)
3 電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞(2011年)
＜専門＞
シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術
＜WebSite＞
http://power.bk.tsukuba.ac.jp/
https://youtu.be/VjorIIacez0
＜主なご経歴・研究内容など＞
1984年 早稲田大学理工学部卒、1998年 博士（工学）（早稲田大学）
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事。
1999年-2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
2009 年5月-2013年3月 (国研)産業技術総合研究所。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事。
2013年4月- 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員
著書・監修多数
＜受賞＞
1 日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞 (2020年12月)
2 電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞 (2020年4月)
3 電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞(2011年)
＜専門＞
シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術
＜WebSite＞
http://power.bk.tsukuba.ac.jp/
https://youtu.be/VjorIIacez0
セミナー趣旨
2026年、世界はAIデータセンター電源の高効率・大容量化と、自動車電動化（xEV）の再加速に向けて大きく動いている。AIサーバ電源やxEVの性能を左右する中核部品であるパワーデバイスでは、SiC・GaNデバイスが次世代の本命として急速に存在感を高めている。すでに実機搭載も進みつつあり、今後はシリコンMOSFET・IGBTをどこまで凌駕できるかが焦点となる。
鍵を握るのは、性能・信頼性・コストという三要素に対し、新材料デバイスがどのように市場要求へ応えていくかである。本セミナーでは、SiC/GaN技術の現状と今後の動向を整理し、さらに注目を集める酸化ガリウム（Ga₂O₃）デバイスの可能性、実装技術、そして市場予測までを、わかりやすくかつ丁寧に解説する。
鍵を握るのは、性能・信頼性・コストという三要素に対し、新材料デバイスがどのように市場要求へ応えていくかである。本セミナーでは、SiC/GaN技術の現状と今後の動向を整理し、さらに注目を集める酸化ガリウム（Ga₂O₃）デバイスの可能性、実装技術、そして市場予測までを、わかりやすくかつ丁寧に解説する。
セミナー講演内容
＜得られる技術・知識＞
パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-MOSFET, IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、酸化ガリウムパワーデバイス技術など。
＜プログラム＞
１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに？
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワー半導体の種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 AIデーターサーバ電源、xEV向けパワーデバイス最近のトピックス
1-5 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
1-6 ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
1-7 パワーデバイス開発のポイント
２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
2-2 MOSFET特性改善を支える技術
2-3 IGBT特性改善を支える技術
2-4 IGBT薄ウェハ化の限界
2-5 MOSFET・IGBT特性改善の次の一手
2-6 シリコンIGBTの実装技術
３．SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 半導体デバイス材料の変遷
3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
3-3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
3-4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
3-5 SiC-MOSFETの勝ち筋
3-6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
3-7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
3-8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
3-9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
3-10 内蔵ダイオード信頼性向上技術
４．GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
4-2 GaNデバイスの構造
4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
4-5 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
4-6 GaN-HEMTの最新技術動向（高耐圧化へ向けて）
4-7 縦型GaNデバイスの最新動向
５．酸化ガリウムパワーデバイスの現状
5-1 酸化ガリウムの特徴は何
5-2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
６．SiCパワーデバイス実装技術の進展
6-1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
6-2 銀または銅焼結接合技術
6-3 SiC-MOSFETモジュール技術
７．まとめ
□質疑応答□
パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-MOSFET, IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、酸化ガリウムパワーデバイス技術など。
＜プログラム＞
１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに？
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワー半導体の種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 AIデーターサーバ電源、xEV向けパワーデバイス最近のトピックス
1-5 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
1-6 ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
1-7 パワーデバイス開発のポイント
２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
2-2 MOSFET特性改善を支える技術
2-3 IGBT特性改善を支える技術
2-4 IGBT薄ウェハ化の限界
2-5 MOSFET・IGBT特性改善の次の一手
2-6 シリコンIGBTの実装技術
３．SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 半導体デバイス材料の変遷
3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
3-3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
3-4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
3-5 SiC-MOSFETの勝ち筋
3-6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
3-7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
3-8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
3-9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
3-10 内蔵ダイオード信頼性向上技術
４．GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
4-2 GaNデバイスの構造
4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
4-5 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
4-6 GaN-HEMTの最新技術動向（高耐圧化へ向けて）
4-7 縦型GaNデバイスの最新動向
５．酸化ガリウムパワーデバイスの現状
5-1 酸化ガリウムの特徴は何
5-2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
６．SiCパワーデバイス実装技術の進展
6-1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
6-2 銀または銅焼結接合技術
6-3 SiC-MOSFETモジュール技術
７．まとめ
□質疑応答□
関連商品
書籍
番号 M086
発刊
2023年10月
パワーモジュールの高性能化を支える高耐熱・高信頼性材料と実装技術
～xEV向けに採用・市場が拡大するSiCパワーモジュールで求められる技術を整理～
～高温動作・損失低減・小型化などへの対応に向けた構成材料・実装・モジュール構造技術～
エレクトロニクス | 化学・材料
書籍
番号 M086
発刊
2023年10月
パワーモジュールの高性能化を支える高耐熱・高信頼性材料と実装技術
～xEV向けに採用・市場が拡大するSiCパワーモジュールで求められる技術を整理～
～高温動作・損失低減・小型化などへの対応に向けた構成材料・実装・モジュール構造技術～
エレクトロニクス | 化学・材料
当サイトはグローバルサイン社によりセキュリティ認証をされています。
SSL/TLS対応ページ（https）からの情報送信は暗号化により保護されます。
SSL/TLS対応ページ（https）からの情報送信は暗号化により保護されます。