B240670:パワーデバイス半導体SiC結晶と欠陥評価技術 | 技術セミナーの開催・書籍出版　サイエンス＆テクノロジー＜Ｓ＆Ｔ＞

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パワーデバイス半導体SiC結晶と欠陥評価技術

～SiCウェハの欠陥評価法を理解する～

受講可能な形式：【ライブ配信】のみ

【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク 

SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響、結晶欠陥の評価手法、、、、
なぜ「欠陥」が発生するメカニズムを理解し、高品質な結晶成長を実現するために
SiCウェハにおいて何が起こっているのか

日時

【ライブ配信】 2024年6月20日（木） 13:00～16:30

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受講料(税込)

各種割引特典

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配布資料

製本資料（開催日の4、5日前に発送予定）
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オンライン配信

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備考

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

得られる知識

SiC結晶欠陥に関する基礎的な知識とその評価手法を理解することができる

対象

SiCウェハの結晶欠陥とその評価手法の理解を深めたいと考えられている方

キーワード:SiC、結晶成長、結晶欠陥、転位、X線トポグラフィ、偏光観察

セミナーリクエスト

セミナー講師

名古屋大学　未来材料・システム研究所　附属未来エレクトロニクス集積研究センター
　未来デバイス部　准教授　博士(工学)　原田俊太　氏
【講師紹介】

セミナー趣旨

　SiCパワーデバイスは、N700S系新幹線をはじめとする電鉄車両の電力変換や、電気自動車、などにすでに用いられており、社会実装が始まっている。しかし、無転位の結晶を前提とすることができるSiと比較すると、多くの結晶欠陥がSiCウェハには含まれており、SiCパワーデバイスの生産性を低下させる原因となっている。このため、SiCパワーデバイスにおいては、結晶欠陥の評価が重要となる。
　本講座では、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説を行い、SiCウェハの欠陥評価法の理解を深める。

セミナー講演内容

はじめに
　1．SiCパワーデバイスの市場概況
　2．SiCパワーデバイスの特性比較（Siとの比較）

SiCの基礎
　3．SiCの結晶構造と多形
　4．六方晶の結晶方位（四指数法）
　5．結晶多形（Polytype）の解説
　6．Si面とC面

SiC結晶の成長法
　7．昇華法
　8．CVD法
　9．溶液法

結晶欠陥の基礎
　10．結晶欠陥の種類（0次元から3次元）
　11．結晶欠陥の観察例と観察法
　12．欠陥がデバイス性能に与える影響

SiCの結晶欠陥
　13．マイクロパイプと転位
　14．積層欠陥

結晶欠陥の評価技術
　15．X線トポグラフィ法
　16．KOHエッチング法
　17．フォトルミネッセンス法
　18．透過電子顕微鏡法
　19．偏光顕微鏡法

マルチモーダル解析
　20．結晶欠陥のマルチモーダル解析
　21．欠陥自動検出アルゴリズム

実例と応用
　22．RAF法による結晶欠陥低減
　23．溶液法における結晶欠陥低減
　24．基底面転位とバイポーラ劣化
　25．CVD法による基底面転位の変換
　26．欠陥制御によるバイポーラ劣化抑制技術
　27．低抵抗SiC基板における積層欠陥形成
　28．貫通転位とデバイスリーク

まとめと質疑応答
　29．まとめ
　30．質疑応答

セミナーリクエスト

セミナーセミナー番号:B240670(SiC欠陥)

パワーデバイス半導体SiC結晶と欠陥評価技術

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セミナー講師

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